[發明專利]一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝

在審

• 申請號: 202110581816.8
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN115397119A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 吳曉東;萬禮;李后勇
• 申請（專利權）人: 江蘇迪飛達電子有限公司
• 主分類號: H05K3/06
• 分類號: H05K3/06;H05K3/38;H05K3/00;H05K3/40;H01Q1/24
• 代理公司: 北京中創博騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11636
• 代理人: 梁海波

本發明公開了一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝，包括以下工藝：在對線寬和線距公差的控制時，NPTH板:1/1OZ銅厚內層芯板，控制公差在±10um范圍內，PTH板:1/1OZ基銅厚板，控制公差在±15um范圍內；蝕刻角度的控制時，蝕刻角度≥80⁰，蝕刻因子的控制時，NPTH板控制蝕刻因子≥7.0，PTH板控制蝕刻因子≥5.0，銅面棕化層的粗糙度的控制，棕化過程不許做返工處理，微蝕量控制1.2～2.0um，RZ控制1.0～1.5um.離子污染≤1.56ug Eq NaCl/Sp.cm，介質的均勻性的控制，在保證填膠量的情況下，選擇低流動性的介質材料，介質厚度按±5％公差控制。本發明通過對介質的均勻性控制、印制板孔粗的控制和孔壁殘膠的控制，可以很好的進行5G基站天線耦合器印制板生產，使得5G基站天線耦合器印制板更加規范。

技術領域

本發明涉及5G基站領域，特別涉及一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝。

背景技術

5G基站是5G網絡的核心設備，提供無線覆蓋，實現有線通信網絡與無線終端之間的無線信號傳輸。基站的架構、形態直接影響5G網絡如何部署。在技術標準中，5G的頻段遠高于2G、3G和4G網絡，5G網絡現階段主要工作在3000-5000MHz頻段。由于頻率越高，信號傳播過程中的衰減也越大，所以5G網絡的基站密度將更高。

2020年4月30日，全球海拔最高的5G基站正式投入使用，5G信號首次“登頂”世界之巔，現有的5G基站天線耦合器印制板的生產工藝無法更好的滿足人們的需求，因此需要提供一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝。

發明內容

本發明的目的在于提供一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種5G基站天線耦合器印制板生產工藝，包括以下工藝：

在對線寬和線距公差的控制時，NPTH板:1/1OZ銅厚內層芯板，控制公差在±10um范圍內，PTH板:1/1OZ基銅厚板，控制公差在±15um范圍內；蝕刻角度的控制時，蝕刻角度≥800，蝕刻因子的控制時，NPTH板控制蝕刻因子≥7.0，PTH板控制蝕刻因子≥5.0，銅面棕化層的粗糙度的控制，棕化過程不許做返工處理，微蝕量控制1.2～2.0um，RZ控制1.0～1.5um.離子污染≤1.56ug Eq NaCl/Sp.cm，介質的均勻性的控制，在保證填膠量的情況下，選擇低流動性的介質材料，以保證介質層的均勻性，介質厚度按±5％公差控制。

優選的，銅面正常過1次棕化層的粗糙度：微蝕量:1.35um，Ra:0.182，Rz:1.16，銅面正常過2次棕化層的粗糙度：微蝕量:2.36um，Ra:0.221，Rz:1.79，銅面正常過3次棕化層的粗糙度：微蝕量:3.19um，Ra:0.304，Rz:2.05。

優選的，在對介質的均勻性控制的時候，采用低流動性的高膠PP，且膠含量為84％，采用合理的升溫速率，將PP的外溢膠量控制在0～2mm范圍內，介質層的均勻性控制在±5％范圍內。

優選的，在進行印制板孔粗的控制時，采用納米鍍膜刀生產，選用特殊的底板和蓋板，且疊板數降到1～2片/疊，鉆孔孔限降低50％以下，孔粗控制在1.0mil以下。

優選的，孔壁殘膠采用一次Plasma進行除膠加工處理。

優選的，對電鍍銅厚度及其均勻性的控制時，采用選進的VCP線生產，電鍍銅厚極差控制±3um。

本發明的技術效果和優點：通過對介質的均勻性控制、印制板孔粗的控制和孔壁殘膠的控制，可以很好的進行5G基站天線耦合器印制板生產，使得5G基站天線耦合器印制板更加規范。

具體實施方式