[發明專利]半導體功率器件斜坡場板的制作方法

有效

• 申請號: 202110579844.6
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113314405B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 李健兒;馮艾城;李學良;馮永;胡仲波;唐毅;劉繼芝;鮮貴容
• 申請（專利權）人: 四川上特科技有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/40;G03F7/20
• 代理公司: 石家莊科誠專利事務所(普通合伙) 13113
• 代理人: 劉麗麗;張帆

1.一種半導體功率器件斜坡場板的制作方法，其特征在于，按照以下步驟順序進行：

一、制作灰度光刻版

①制作第一灰度光刻版

在第一光刻版上對應于斜坡場板的區域劃分出均勻的面積均為S的n個柵格，然后在各個柵格中心對鉻層進行開孔，制得第一灰度光刻版；

對于第一灰度光刻版上的第m柵格，鉻層開孔的面積為S_m，其透光率a_1m=S_m/S；

②制作第二灰度光刻版

在第二光刻版上對應于斜坡場板的區域劃分出均勻的面積均為S的n個柵格，然后在各個柵格中心對鉻層進行開孔，制得第二灰度光刻版；

對于第二灰度光刻版上的第m柵格，鉻層開孔的面積為T_m，其透光率a_2m=T_m/S；

所述n≥1，m∈[1,n]；

第一光刻版和第二光刻版上劃分的柵格的邊長或尺寸小于光刻機分辨率；

二、兩次曝光

首先，以第一灰度光刻版作為掩膜對表面生長介質層的半導體器件襯底上的光刻膠進行第一次曝光；

第一次曝光過程中，第m柵格的曝光劑量為d_1m；

接著，以第二灰度光刻版作為掩膜對第一次曝光之后的光刻膠進行第二次曝光，曝光劑量為d_2m，然后顯影，至此，制得斜坡光刻膠；

第二次曝光過程中，第m柵格的曝光劑量為d_2m；

步驟一和步驟二滿足D_m= d_1m*S_m/S+d_2m*T_m/S，其中D_m為第m個柵格所對應的光刻膠區域曝光總量；

三、等離子干法刻蝕

以斜坡光刻膠作為掩膜，對介質層進行等離子干法刻蝕，使介質層與斜坡光刻膠的刻蝕比為1:1，得到斜坡形狀介質層；

四、制作斜坡場板

在斜坡形狀介質層上進行金屬淀積與反應離子刻蝕，制得斜坡場板。

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件斜坡場板的制作方法，其特征在于，所述斜坡場板為一維橫向結構的斜坡場板；

所述步驟一中， n個柵格均為邊長為A的正方形柵格，S=A²；

步驟①中，在第m個柵格中，鉻層開設有邊長為B_m的正方形孔，S_m=B_m²；

步驟②中，在第m個柵格中，鉻層開設有邊長為C_m的正方形孔，T_m=C_m²。

3.根據權利要求1所述的半導體功率器件斜坡場板的制作方法，其特征在于，所述斜坡場板為一維橫向結構的斜坡場板；

所述步驟一中，n個柵格均為邊長為A的正方形柵格，S=A²；

步驟①中，在第m個柵格中，鉻層開設有k個邊長為e的正方形孔，S_m=k*e²，其中，k≥1；

步驟②中，在第m個柵格中，鉻層開設有j個邊長為e的正方形孔，T_m=j*e²，其中，j≥1。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件斜坡場板的制作方法，其特征在于：斜坡場板為圓弧跑道形結構的斜坡場板；

所述步驟一中，沿斜坡變化的方向劃分n個半徑均勻變化△R的圓弧形柵格條紋，

步驟①中，在第m個柵格中，在柵格中心處對鉻層進行半徑變化量△r_1m的圓弧形開孔，a_1m=△r_1m/△R；

步驟②中，在第m個柵格中，在柵格中心處對鉻層進行半徑變化量△r_2m的圓弧形開孔，a_2m=△r_2m/△R。