[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、修復方法

有效

• 申請號: 202110579270.2
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113345920B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 胡凱
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本申請實施例公開了一種陣列基板及其制備方法、修復方法，所述陣列基板包括：基板；遮光金屬單元，設于所述基板的一側表面；金屬走線，設于所述基板的所述表面，且圍繞所述遮光金屬單元；緩沖層，設于所述基板的所述表面，且覆蓋所述遮光金屬單元和所述金屬走線；半導體層，設于所述緩沖層遠離所述半導體層的一側表面，所述半導體層包括有源層和導體走線，所述有源層對應所述遮光金屬單元，所述導體走線對應所述金屬走線；當所述金屬走線存在至少一處斷點時，所述金屬走線與該斷點對應的所述導體走線形成通路。

技術領域

本申請涉及面板領域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、修復方法。

背景技術

在對現有技術的研究和實踐過程中，本申請的發明人發現，目前Top Gate(頂柵)結構TFT的走線多為LS(遮光金屬)或者M2(第二金屬)，制程過程中有particle(顆粒)或光阻破洞時，容易造成金屬走線斷開，形成斷線。

且由于面板分辨率高，導致金屬走線間距較小，無法使用傳統的弓形長膜修復進行改善。

發明內容

本申請實施例提供一種陣列基板及其制備方法、修復方法，可以解決現有技術中金屬走線斷點無法修復的技術問題。

本申請實施例提供一種陣列基板，包括：基板；遮光金屬單元，設于所述基板的一側表面；金屬走線，設于所述基板的所述表面，且圍繞所述遮光金屬單元；緩沖層，設于所述基板的所述表面，且覆蓋所述遮光金屬單元和所述金屬走線；半導體層，設于所述緩沖層遠離所述半導體層的一側表面，所述半導體層包括有源層和導體走線，所述有源層對應所述遮光金屬單元，所述導體走線對應所述金屬走線；當所述金屬走線存在斷點時，所述金屬走線部分貫穿所述緩沖層，并連接至所述斷點對應的導體走線。

可選的，在本申請的一些實施例中，當所述金屬走線存在至少一處斷點時，所述金屬走線在其長度方向上存在至少兩個照射點，每一斷點均處于兩個所述照射點之間，所述照射點位置的所述金屬走線貫穿所述緩沖層，并連接至對應的導體走線。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述導體走線與所述金屬走線的尺寸形狀一致。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述陣列基板包括顯示區和非顯示區，所述非顯示區圍繞所述顯示區，所述顯示區設有若干色阻單元，所述金屬走線設于所述非顯示區中，且圍繞所述色阻單元。

可選的，在本申請的一些實施例中，所述半導體層的材料包括鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵鋅錫氧化物中的至少一種。

相應的，本申請實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟：

提供一基板；在所述基板上制備一層金屬材料，圖案化所述金屬材料后獲得若干遮光金屬單元和若干金屬走線；在所述基板上沉積一層氮化硅或氧化硅材料，獲得覆蓋遮光金屬單元和所述金屬走線的緩沖層；在所述緩沖層上制備一層半導體材料，圖案化所述半導體材料，獲得若干第一半導體單元和第二半導體單元，所述第一半導體單元對應所述遮光金屬單元，所述第二半導體單元對應所述金屬走線。

可選的，在本申請的一些實施例中，在制備所述半導體材料步驟之后，還包括以下步驟：

在所述緩沖層上制備一層柵極絕緣材料，所述柵極絕緣材料覆蓋所述第一半導體單元；在所述柵極絕緣材料上制備一層柵極金屬材料，圖案化所述柵極金屬材料后獲得柵極層，所述柵極層對應所述第一半導體單元；以所述柵極層為基準，刻蝕所述柵極絕緣材料，獲得柵極絕緣層；導體化所述第一半導體單元獲得有源層，導體化所述第二半導體單元獲得導體走線；在所述緩沖層上制備一層介電層，所述介電層覆蓋所述有源層、所述導體走線、所述柵極絕緣層以及所述柵極層；在所述介電層對應所述有源層位置刻蝕通孔，在所述介電層上制備一層源漏電極，所述源漏電極填充所述通孔并連接至所述有源層；在所述介電層上制備鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述源漏電極。