[發(fā)明專利]集成電路及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110579205.X
• 申請(qǐng)日: 2021-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN113363235A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林建宏;張新君;謝明宏;王明義;盧胤龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路(IC)，包括：

襯底，具有前表面和與所述前表面相對(duì)的后表面；

半導(dǎo)體器件，具有設(shè)置在襯底上的第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，其中，所述第一表面設(shè)置在所述襯底的所述前表面上方，并且所述第二表面設(shè)置在所述襯底的所述后表面上方；

第一互連結(jié)構(gòu)和第二互連結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體器件的所述第一表面和所述第二表面上；

第一層間電介質(zhì)(ILD)層和第二ILD層，分別設(shè)置在所述襯底的所述前表面和所述后表面上；以及

貫穿電路通孔(TCV)，設(shè)置在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)、所述第一ILD層和所述第二ILD層以及所述襯底內(nèi)，

其中，所述TCV與所述半導(dǎo)體器件由所述襯底的部分以及所述第一ILD層和所述第二ILD層的部分間隔開，以及

其中，設(shè)置在所述襯底的所述前表面上方的所述TCV的第一端連接到所述第一互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線，并且設(shè)置在所述襯底的所述后表面上方的所述TCV的第二端連接到所述第二互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV和所述第二互連結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)線是雙鑲嵌結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第二端的直徑大于所述TCV的所述第一端的直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第一端的直徑與所述第一互連結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)線的寬度之間的比率在約1：1至約1:10的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，，所述TCV的所述第二端的直徑與所述第二互連結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)線的寬度之間的比率在約1：1至約1:10的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第二端的直徑與所述半導(dǎo)體器件的接觸件結(jié)構(gòu)的寬度之間的比率在約1：1至約50：1的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV與所述半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)之間的距離是所述TCV的所述第二端的直徑的約3倍至約50倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC，其中，所述TCV包括導(dǎo)電襯墊和設(shè)置在所述導(dǎo)電襯墊上的導(dǎo)電插塞。

9.一種集成電路(IC)，包括：

襯底，具有前表面和與所述前表面相對(duì)的后表面；

半導(dǎo)體器件，具有設(shè)置在所述襯底的所述前表面上的柵極結(jié)構(gòu)；

第一互連結(jié)構(gòu)和第二互連結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在所述襯底的所述前表面和所述后表面上方；

貫穿電路通孔(TCV)，設(shè)置在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)內(nèi)；以及

阻擋結(jié)構(gòu)，圍繞所述TCV，設(shè)置在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)內(nèi)，

其中，設(shè)置在所述襯底的所述前表面上方的所述TCV的第一端連接到所述第一互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線，并且設(shè)置在所述襯底的所述后表面上方的所述TCV的第二端連接到所述第二互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線。

10.一種形成集成電路的方法，包括：

形成具有設(shè)置在襯底的前表面上的柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件；

在所述襯底的所述前表面上方形成第一互連結(jié)構(gòu)；

在所述襯底的后表面上方形成第二互連結(jié)構(gòu)的第一部分；

在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第二互連結(jié)構(gòu)的所述第一部分中形成貫穿電路通孔(TCV)開口；

沿所述TCV開口的側(cè)壁形成導(dǎo)電襯墊；

在所述TCV開口內(nèi)形成導(dǎo)電插塞；以及

在所述導(dǎo)電插塞上形成所述第二互連結(jié)構(gòu)的第二部分。