[發(fā)明專利]內(nèi)襯裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110578246.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-05-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113337810B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚明可;朱海云;朱旭;馬振國 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/505 | 分類號(hào): | C23C16/505;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 內(nèi)襯 裝置 半導(dǎo)體 加工 設(shè)備 | ||
1.一種內(nèi)襯裝置,應(yīng)用于半導(dǎo)體加工設(shè)備的工藝腔室中,其特征在于,所述內(nèi)襯裝置包括內(nèi)襯組件和設(shè)置在所述內(nèi)襯組件中的排氣通道結(jié)構(gòu),所述排氣通道結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣口與所述工藝腔室的內(nèi)部連通;所述排氣通道結(jié)構(gòu)的出氣口與所述工藝腔室的排氣口連通,用以排出所述工藝腔室內(nèi)部的氣體;
所述內(nèi)襯組件包括沿所述工藝腔室的徑向由中心向邊緣依次嵌套的第一金屬襯環(huán)、絕緣襯環(huán)和第二金屬襯環(huán);其中,所述排氣通道結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣口位于所述第一金屬襯環(huán)的內(nèi)周壁上;所述第一金屬襯環(huán)的軸向長度被設(shè)置為能夠覆蓋所述絕緣襯環(huán)的內(nèi)周壁位于指定高度位置以上的區(qū)域,以防止薄膜沉積在所述絕緣襯環(huán)的內(nèi)周壁上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,在所述第一金屬襯環(huán)的外周壁上設(shè)置有沿其周向間隔分布的多個(gè)定位凸部,且在所述絕緣襯環(huán)的上表面上設(shè)置有多個(gè)定位凹部,各個(gè)所述定位凸部一一對(duì)應(yīng)地與各個(gè)所述定位凹部相配合,以限定所述第一金屬襯環(huán)的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,每個(gè)所述定位凹部的底面均為與所述工藝腔室的徑向呈夾角的第一斜面,且所述第一斜面的高度沿所述工藝腔室的徑向由中心向邊緣逐漸增大;每個(gè)所述定位凸部的下表面為第二斜面,所述第二斜面與對(duì)應(yīng)的所述第一斜面接觸配合,以使所述第一金屬襯環(huán)與所述絕緣襯環(huán)同軸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述夾角的取值范圍為大于等于20°,且小于等于30°。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述第一斜面、所述第二斜面以及所述定位凹部和所述定位凸部彼此相對(duì)的側(cè)面均為經(jīng)拋光處理后的表面,用以減小所述定位凹部和所述定位凸部的摩擦系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,在所述絕緣襯環(huán)的內(nèi)周壁上還設(shè)置有環(huán)形凹槽,所述第一金屬襯環(huán)位于所述環(huán)形凹槽中,且所述第一金屬襯環(huán)的內(nèi)周壁與所述絕緣襯環(huán)的內(nèi)周壁相平齊;所述第一金屬襯環(huán)的上表面與所述絕緣襯環(huán)的上表面相平齊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述排氣通道結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一排氣孔、多個(gè)第二排氣孔和排氣通道,其中,
每個(gè)所述第一排氣孔沿所述第一金屬襯環(huán)的徑向貫通設(shè)置在所述第一金屬襯環(huán)中,且多個(gè)所述第一排氣孔沿所述第一金屬襯環(huán)的周向間隔分布;所述第一排氣孔的位于所述第一金屬襯環(huán)的內(nèi)周壁上的一端用作所述排氣通道結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣口;
每個(gè)所述第二排氣孔沿所述絕緣襯環(huán)的徑向貫通設(shè)置在所述絕緣襯環(huán)中,且多個(gè)所述第二排氣孔與多個(gè)所述第一排氣孔一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置;
所述排氣通道設(shè)置在所述第二金屬襯環(huán)中,且所述排氣通道的進(jìn)氣端與各個(gè)所述第二排氣孔相連通,所述排氣通道的出氣端用作所述排氣通道結(jié)構(gòu)的出氣口與所述排氣口相連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述指定高度位置位于所述排氣通道結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣口的最低高度位置以下的指定豎直距離處,所述指定豎直距離的取值范圍為大于等于25mm,且小于等于35mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述第一排氣孔的直徑大于所述第二排氣孔的直徑,以在所述第一金屬襯環(huán)熱膨脹時(shí)能夠使所述第一排氣孔與對(duì)應(yīng)的所述第二排氣孔保持連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述第一排氣孔的直徑與所述第二排氣孔的直徑的差值為大于等于0.8mm,且小于等于1mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的內(nèi)襯裝置,其特征在于,所述第一金屬襯環(huán)的外周壁與所述絕緣襯環(huán)的內(nèi)周壁之間具有徑向間隙,用以為所述第一金屬襯環(huán)的熱膨脹預(yù)留空間。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





