[發明專利]垂直可變電阻存儲器件

在審

• 申請號: 202110578100.2
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113972234A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 金炫哲;金容錫;徐亨源;柳成原;李炅奐;洪載昊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;趙莎

一種垂直可變電阻存儲器件，包括：柵電極，所述柵電極在襯底上沿第一方向彼此間隔開，每個所述柵電極包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述襯底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述襯底的所述上表面；第一絕緣圖案，所述第一絕緣圖案位于所述柵電極之間，每個所述第一絕緣圖案包括氮化硼(BN)；以及至少一個柱狀結構，所述至少一個柱狀結構在所述襯底上沿所述第一方向延伸穿過所述柵電極和所述第一絕緣圖案，其中，所述至少一個柱狀結構包括：垂直柵電極，所述垂直柵電極沿所述第一方向延伸；以及可變電阻圖案，所述可變電阻圖案位于所述垂直柵電極的側壁上。

相關申請的交叉引用

于2020年7月23日在韓國知識產權局提交的題目為“Vertical VariableResistance Memory Devices”(垂直可變電阻存儲器件)的韓國專利申請No.10-2020-0091631的全部內容通過引用合并于此。

技術領域

實施例涉及垂直可變電阻存儲器件。

背景技術

在可變電阻存儲器件中，可以考慮電子在柵電極中的遷移率。

發明內容

實施例可以通過提供一種垂直可變電阻存儲器件來實現，所述垂直可變電阻存儲器件包括：柵電極，所述柵電極在襯底上沿第一方向彼此間隔開，每個所述柵電極包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述襯底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述襯底的所述上表面；第一絕緣圖案，所述第一絕緣圖案位于所述柵電極之間，每個所述第一絕緣圖案包括氮化硼(BN)；以及至少一個柱狀結構，所述至少一個柱狀結構在所述襯底上沿所述第一方向延伸穿過所述柵電極和所述第一絕緣圖案，其中，所述至少一個柱狀結構包括：垂直柵電極，所述垂直柵電極沿所述第一方向延伸；以及可變電阻圖案，所述可變電阻圖案位于所述垂直柵電極的側壁上。

實施例可以通過提供一種垂直可變電阻存儲器件來實現，所述垂直可變電阻存儲器件包括：柵電極結構，每個所述柵電極結構包括在襯底上沿第一方向彼此間隔開的柵電極，每個所述柵電極沿第二方向延伸，所述柵電極結構在第三方向上彼此間隔開，所述第一方向基本上垂直于所述襯底的上表面，所述第二方向基本上平行于所述襯底的所述上表面，所述第三方向基本上平行于所述襯底的所述上表面并且與所述第二方向相交，并且每個所述柵電極結構中的所述柵電極以階梯形狀堆疊，在所述階梯形狀中，所述柵電極在所述第二方向上的延伸長度從最低水平高度朝向最高水平高度階梯式減小；第一絕緣圖案，所述第一絕緣圖案位于每個所述柵電極結構中的所述柵電極之間，每個所述第一絕緣圖案包括六方氮化硼(h-BN)或非晶氮化硼(a-BN)；第二絕緣圖案，所述第二絕緣圖案位于所述柵電極結構之間，每個所述第二絕緣圖案包括h-BN或a-BN，并且使所述柵電極結構彼此電絕緣；以及至少一個柱狀結構，所述至少一個柱狀結構在所述襯底上沿所述第一方向延伸，所述至少一個柱狀結構延伸穿過每個所述柵電極結構中的所述柵電極以及位于所述柵電極之間的所述第一絕緣圖案，其中，所述至少一個柱狀結構包括：垂直柵電極，所述垂直柵電極沿所述第一方向延伸；以及可變電阻圖案，所述可變電阻圖案位于所述垂直柵電極的側壁上，并且其中，所述第二絕緣圖案在所述第二方向上的延伸長度大于或等于每個所述柵電極結構中的最下面的所述柵電極在所述第二方向上的延伸長度。