[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110577103.4
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN114975455A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 永嶋賢史
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實(shí)施方式提供一種適宜地動作的半導(dǎo)體存儲裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：半導(dǎo)體襯底，在第1方向及與第1方向交叉的第2方向上延伸；多個存儲塊，排列在第1方向上；及塊間構(gòu)造，設(shè)置在多個存儲塊之間。存儲塊具備多個導(dǎo)電層、多個第1半導(dǎo)體層及多個電荷儲存部。多個導(dǎo)電層排列在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上，且在第2方向上延伸。多個第1半導(dǎo)體層在第3方向上延伸，且與多個導(dǎo)電層對向。多個電荷儲存部設(shè)置在多個導(dǎo)電層與多個第1半導(dǎo)體層之間。塊間構(gòu)造具備在第2方向及第3方向上延伸的第2半導(dǎo)體層。多個第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層是半導(dǎo)體襯底的一部分。

[相關(guān)申請]

本申請享有以日本專利申請2021-025717號(申請日：2021年2月19日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包括基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置。

背景技術(shù)

已知有一種半導(dǎo)體存儲裝置，其具備：襯底；多個導(dǎo)電層，積層在與該襯底表面交叉的方向上；半導(dǎo)體層，與這些多個導(dǎo)電層對向；以及柵極絕緣層，設(shè)置在導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層之間。柵極絕緣層例如具備氮化硅(Si₃N₄)等絕緣性電荷儲存層或浮動?xùn)艠O等導(dǎo)電性電荷儲存層等能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器部。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題是提供一種適宜地動作的半導(dǎo)體存儲裝置。

一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：半導(dǎo)體襯底，在第1方向及與第1方向交叉的第2方向上延伸；多個存儲塊，排列在第1方向上；及塊間構(gòu)造，設(shè)置在多個存儲塊之間。存儲塊具備多個導(dǎo)電層、多個第1半導(dǎo)體層及多個電荷儲存部。多個導(dǎo)電層排列在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上，且在第2方向上延伸。多個第1半導(dǎo)體層在第3方向上延伸，且與多個導(dǎo)電層對向。多個電荷儲存部設(shè)置在多個導(dǎo)電層與多個第1半導(dǎo)體層之間。塊間構(gòu)造具備在第2方向及第3方向上延伸的第2半導(dǎo)體層。多個第1半導(dǎo)體層及第2半導(dǎo)體層是半導(dǎo)體襯底的一部分。

附圖說明

圖1是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的示意性俯視圖。

圖2是該半導(dǎo)體存儲裝置的示意性俯視圖。

圖3是該半導(dǎo)體存儲裝置的示意性俯視圖。

圖4是該半導(dǎo)體存儲裝置的示意性立體圖。

圖5是該半導(dǎo)體存儲裝置的示意性剖視圖。

圖6是該半導(dǎo)體存儲裝置的示意性剖視圖。

圖7是用來對該半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進(jìn)行說明的示意性俯視圖。

圖8是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖9是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖10是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性俯視圖。

圖11是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖12是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性俯視圖。

圖13是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖14是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖15是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖16是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖17是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖18是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。

圖19是用來對該制造方法進(jìn)行說明的示意性剖視圖。