[發明專利]一種P型鈍化接觸太陽能電池片的擴散方法有效
| 申請號: | 202110576511.8 | 申請日: | 2021-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN113314640B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發明(設計)人: | 李躍;何悅;宋飛飛;賈松燕;趙穎 | 申請(專利權)人: | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
| 地址: | 322118 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈍化 接觸 太陽能電池 擴散 方法 | ||
1.一種P型鈍化接觸太陽能電池片的擴散方法,其特征在于,所述擴散方法包括先后進行的正面磷擴散與背面硼擴散;
所述正面磷擴散的具體步驟為:
(1)擴磷預處理:送入電池片,抽真空至絕對真空度為1-10Pa并進行檢漏;
(2)擴磷前氧化:在780-790℃下通入500-700sccm的氧氣,保持5-7min;
(3)第一次通磷源:在780-790℃下通入600-800sccm攜帶磷源的氮氣,保持2-6min;
(4)磷推進:在850-860℃下進行磷的推進,保持15-22min;
(5)第一次擴磷降溫:在12-16min內降溫至800-820℃;
(6)第二次通磷源:在800-820℃下通入600-800sccm攜帶磷源的氮氣,保持3-5min;
(7)第二次擴磷降溫:在7-10min內降溫至780-810℃;
(8)第三次通磷源:在800-820℃下通入800-1000sccm攜帶磷源的氮氣,保持5-8min;
(9)擴磷后氧化:在780-790℃下通入700-900sccm的氧氣,保持1-3min;
其中,所述磷源為三氯氧磷,且磷源在氮氣中的含量為0.3-0.8g/L;
所述背面硼擴散的具體步驟為:
(10)擴硼預處理:送入電池片,抽真空至絕對真空度為1-10Pa并進行檢漏;
(11)擴硼升溫:在10-20min內升溫至950-1000℃;
(12)第一次通硼源:在950-1000℃下通入500-700sccm攜帶硼源的氮氣,保持6-10min;
(13)第一次硼推進:在950-1000℃下進行硼的推進,保持40-60min;
(14)第一次擴硼降溫:在15-20min內降溫至900-950℃;
(15)第二次通硼源:在900-950℃下通入400-600sccm攜帶硼源的氮氣,保持1-3min;
(16)第二次硼推進:在900-950℃下進行硼的推進,保持15-20min;
(17)第二次擴硼降溫:在15-20min內降溫至850-900℃;
(18)擴硼后氧化:在800-850℃下通入20-25slm的氧氣,保持15-20min;
其中,所述硼源為三溴化硼,且硼源在氮氣中的含量為0.4-0.9g/L。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





