[發明專利]垂直腔面發射激光器

有效

• 申請號: 202110576111.7
• 申請日: 2021-05-26
• 公開（公告）號: CN113013725B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 丁維遵;翁瑋呈;劉嵩;梁棟
• 申請（專利權）人: 常州縱慧芯光半導體科技有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/183
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括：襯底、外延層、第一電極和焊盤；

所述外延層設置有發光區和非發光區，所述第一電極包括同層設置的環形部和連接部，所述環形部設置于鄰近所述發光區的非發光區且與所述外延層接觸，所述環形部沿所述焊盤方向的所述非發光區延伸形成所述連接部；

所述非發光區的外延層設置有溝槽，所述溝槽半環繞所述發光區，且所述溝槽在所述襯底上的正投影，與所述連接部在所述襯底上的正投影不交疊；

所述焊盤位于所述非發光區，所述焊盤設置于所述外延層遠離所述襯底的一側并與所述連接部搭接；

所述溝槽內填充有導熱金屬，所述導熱金屬與所述環形部不存在電性連接；

所述導熱金屬僅用于導熱；

所述連接部與所述外延層接觸，且所述第一電極先于所述溝槽形成。

2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述焊盤包括焊接區和搭接區，所述焊盤位于所述焊接區的部分與所述外延層之間設置有絕緣層與介電層，所述焊盤位于所述搭接區的部分與所述連接部搭接。

3.根據權利要求2所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述絕緣層包括：苯并環丁烯、聚苯撐苯并噁唑或者聚酰亞胺。

4.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括離子注入結構，所述連接部在所述襯底上的正投影及所述焊盤在所述襯底上的正投影，均位于所述離子注入結構在所述襯底上的正投影內。

5.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述導熱金屬與所述焊盤材料相同。

6.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述溝槽的內壁設置有至少一層介電層。

7.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述發光區內的外延層包括與所述環形部接觸設置的P型摻雜層，所述P型摻雜層靠近所述環形部的表面設置有凹槽，且所述環形部在所述襯底上的正投影環繞所述凹槽在所述襯底上的正投影。

8.根據權利要求7所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述凹槽的深度為m*（1/4）λ，其中，m為奇數，λ為所述垂直腔面發射激光器發射光的波長。

9.根據權利要求7所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述凹槽的底壁設置有光柵結構。