[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110575907.0 | 申請日: | 2021-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN113299721A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 冷傳利 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
多個子像素;
位于所述襯底基板一側的像素定義層,所述像素定義層包括開口區,所述子像素位于所述開口區,所述子像素包括第一子像素和第二子像素;
遮光結構,所述遮光結構位于所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側;
所述遮光結構包括第一遮光結構和第二遮光結構,所述第一遮光結構至少部分圍繞所述第一子像素,所述第二遮光結構至少部分圍繞所述第二子像素;
在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第一遮光結構到所述第一子像素最大距離小于所述第二遮光結構到所述第二子像素的最大距離;
所述第一子像素的出光角度大于所述第二子像素的出光角度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素還包括第三子像素,所述遮光結構還包括第三遮光結構,所述第三遮光結構至少部分圍繞所述第三子像素;
在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第二遮光結構到所述第二子像素最大距離小于所述第三遮光結構到所述第三子像素的最大距離;所述第二子像素的出光角度大于所述第三子像素的出光角度。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括色阻,所述色阻位于所述像素定義層遠離所述襯底基板的一側;
所述色阻與所述子像素對應設置,所述色阻包括第一色阻和第二色阻,在垂直于襯底基板所在平面的方向上,所述第一色阻與所述第一子像素至少部分交疊,所述第二色阻與所述第二子像素至少部分交疊;
所述第一遮光結構位于所述第一色阻靠近所述像素定義層的一側,所述第二遮光結構位于所述第二色阻遠離所述像素定義層的一側。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括封裝層,在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述封裝層位于所述像素定義層與所述遮光結構之間;
所述封裝層包括第一部和第二部,所述第一部在所述襯底基板所在平面上的正投影覆蓋所述第一遮光結構在所述襯底基板所在平面上的正投影,所述第二部在所述襯底基板所在平面上的正投影覆蓋所述第二遮光結構在所述襯底基板所在平面上的正投影;
在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第一部的高度小于所述第二部的高度。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,
所述子像素還包括第三子像素,所述遮光結構還包括第三遮光結構,所述第三遮光結構至少部分圍繞所述第三子像素;
所述封裝層還包括第三部,所述第三部在所述襯底基板所在平面上的正投影覆蓋所述第三遮光結構在所述襯底基板所在平面上的正投影;
在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第二部的高度小于第三部的高度。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括封裝層,在垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述封裝層位于所述像素定義層與所述遮光結構之間;
在所述遮光結構靠近所述封裝層的一側還包括觸控走線,所述遮光結構在所述襯底基板所在平面的正投影覆蓋所述觸控走線在所述襯底基板所在平面的正投影。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層還包括非開口區,所述非開口區在所述襯底基板所在平面的正投影覆蓋所述遮光結構在所述襯底基板所在平面的正投影;
所述第一子像素的開口區邊緣在所述襯底基板的正投影與所述第一遮光結構的邊緣在所述襯底基板的正投影的最小距離為a,所述第二子像素的開口區邊緣在所述襯底基板的正投影與所述第二遮光結構的邊緣在所述襯底基板的正投影的最小距離為b,其中,a>b。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素還包括第三子像素,所述遮光結構還包括第三遮光結構,所述第三遮光結構至少部分圍繞所述第三子像素;
所述第三子像素的開口區邊緣在所述襯底基板所在平面的正投影與所述第三遮光結構的邊緣在所述襯底基板所在平面的正投影的最小距離為c,其中,b>c。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





