[發(fā)明專利]一類含硅快速圖形化嵌段共聚物的制備和應(yīng)用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110575506.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-05-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113754843A | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧海;周家諾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海雅天微電納刻材料科技有限公司;復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C08F293/00 | 分類號(hào)： | C08F293/00;G03F7/075 |
| 代理公司： | 深圳倚智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 鐘火軍 |
| 地址： | 200000 上海*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一類 快速 圖形 化嵌段 共聚物 制備 應(yīng)用 方法 | ||
1.一種含硅快速圖形化嵌段共聚物，其特征在于：所述含硅快速圖形化嵌段共聚物包含嵌段A和嵌段B；
所述嵌段A含有單體結(jié)構(gòu)單元MA1和/或MA2；
所述嵌段B含有單體結(jié)構(gòu)單元MB1，或所述嵌段B含有單體結(jié)構(gòu)單元MB1以及MB2和/或MB3；
所述MA1的結(jié)構(gòu)：所述MA2的結(jié)構(gòu)：
所述MB1的結(jié)構(gòu)：所述MB2的結(jié)構(gòu)：
所述MB3的結(jié)構(gòu)：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅快速圖形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MA1和MA2中的R1選自：取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基、取代或未取代的C1-C20硅烷基、取代或未取代的C1-C20硅氧烷基、取代或未取代的C1-C20鍺烷基、取代或未取代的C1-C20鍺氧烷基、取代或未取代的C1-C20錫烷基、取代或未取代的C1-C20錫氧烷基；
其中，R1中所述的取代指選自以下一個(gè)或多個(gè)取代基取代：鹵素、羥基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基鍺烷基、三甲基鍺烷基氧基、三乙氧基鍺烷基、三甲基錫烷基、三甲基錫烷基氧基、三乙氧基錫烷基、未取代或被羥基取代的烷基、未取代或被羥基取代的芳基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅快速圖形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB1中的R2選自：無取代或鹵素取代的C1-C10直鏈烷基、無取代或鹵素取代的C1-C10分支烷基、無取代或鹵素取代的C6-C20環(huán)狀烷基；
所述MB1中的R3選自：H、鹵素、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；
其中，R3中所述的取代指選自以下一個(gè)或多個(gè)取代基取代：鹵素、羥基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基鍺烷基、三甲基鍺烷基氧基、三乙氧基鍺烷基、三甲基錫烷基、三甲基錫烷基氧基、三乙氧基錫烷基、未取代或被羥基取代的烷基、未取代或被羥基取代的芳基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅快速圖形化嵌段共聚物，其特征在于，所述MB2中的R4選自：H、取代或未取代的含1-5個(gè)Si的硅烷基、取代或未取代的含1-5個(gè)Ge的鍺烷基、取代或未取代的含1-5個(gè)Sn的錫烷基、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的烴氧基、取代或未取代的酯基、取代或未取代的C3-C6的環(huán)烷基、取代或未取代的C6-C10的芳基、取代或未取代的含1-3個(gè)選自N、O、S的C6-C10的雜芳基、羥基、鹵素；
其中，R4中所述的取代指選自以下一個(gè)或多個(gè)取代基取代：C1-C6烷基、含1-5個(gè)Si的硅烷基、C1-C6烷氧基取代的含1-5個(gè)Si的硅烷基、含1-5個(gè)Si的硅烷基氧基、含1-5個(gè)Si的硅烷基氧基取代的含1-5個(gè)Si的硅烷基氧基、C1-C6烷氧基、羥基。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅快速圖形化嵌段共聚物，其特征在于，所述嵌段B中含有可進(jìn)行后修飾的結(jié)構(gòu)單元：
所述后修飾為利用選自下述結(jié)構(gòu)的胺類化合物進(jìn)行修飾：
所述R5選自：取代或未取代的C1-C18烷基、取代或未取代的C3-C18環(huán)烷基、取代或未取代的C1-C18烷氧基、取代或未取代的C3-C18環(huán)烷氧基、取代或未取代的含1-9個(gè)選自N、O、P和S的雜原子的3-18元雜環(huán)基、取代或未取代的含1-9個(gè)選自N、O、P、Si和S的雜原子的直鏈或支鏈C1-C18烷基、取代或未取代的含1-3個(gè)金屬原子的C3-C20烷基；
其中，R5中所述的取代指選自以下一個(gè)或多個(gè)取代基取代：鹵素、羥基、三甲基硅烷基、三甲基硅烷基氧基、三乙氧基硅烷基、三甲基鍺烷基、三甲基鍺烷基氧基、三乙氧基鍺烷基、三甲基錫烷基、三甲基錫烷基氧基、三乙氧基錫烷基、未取代或被羥基取代的烷基、未取代或被羥基取代的芳基；
所述金屬原子選自：Fe、Ti、Hf、V、Zr、Ge、Sn。
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