[發明專利]一種PTFE復合介質基板及其制備方法

有效

• 申請號: 202110575037.7
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113232383B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 陳文;祁琰媛;李遠洋;周靜;沈杰
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: B32B15/20
• 分類號: B32B15/20;B32B15/085;B32B27/32;B32B27/20;B32B37/06;B32B37/10;C08L27/18;C08K7/26;C08J5/18
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 彭月

1.一種PTFE復合介質基板，其特征在于，包括聚四氟乙烯基體及混合在聚四氟乙烯基體中的多粒徑陶瓷填料；

所述多粒徑陶瓷填料為二氧化硅空心球，包括小粒徑空心硅球和大粒徑空心硅球；

所述小粒徑空心硅球的中粒徑D50為200nm～3μm，所述小粒徑空心硅球的粒度離散度(D90-D10)/D50為小于1.5；

所述大粒徑空心硅球的中粒徑D50為8μm～25μm，所述大粒徑空心硅球的粒度離散度(D90-D10)/D50為小于1.5；

其中，所述小粒徑空心硅球和大粒徑空心硅球的體積比為1∶3～3∶1。

2.根據權利要求1所述的PTFE復合介質基板，其特征在于，其中所述多粒徑陶瓷填料體積為聚四氟乙烯基體體積的10％～50％。

3.根據權利要求1所述的PTFE復合介質基板，其特征在于，所述小粒徑空心硅球的壁厚為20nm～300nm；

所述大粒徑空心硅球的壁厚為500nm～800nm。

4.一種PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，首先通過濕法混料和壓延成型得到復合材料預壓片，最后采用真空熱壓成型方法使復合材料預壓片成型，得到如權利要求1-3中任意一項所述的復合介質基板。

5.根據權利要求4所述的PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

步驟1、將小粒徑空心硅球和大粒徑空心硅球在雙中心混料機中混合，得到多粒徑陶瓷填料；

步驟2、將多粒徑陶瓷填料與聚四氟乙烯乳液在雙中心混料機中混合，加入破乳劑破乳后進行二次混料，得到填料與基體混合均勻的共混物泥團；

步驟3、將得到的混合物泥團在三輥機上壓延成片，干燥后進行二次壓延得到表面平整光滑的復合材料預壓片；

步驟4、將所述復合材料預壓片表面覆銅箔熱壓，熱壓完成后降溫至室溫并取出，得到PTFE復合介質基板。

6.根據權利要求4所述的PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，所述小粒徑空心硅球和大粒徑空心硅球的混合方式為雙中心混合，轉速為1000～2000r/min，時間為20～40s。

7.根據權利要求6所述的PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述多粒徑復合填料與聚四氟乙烯乳液的混合方法為雙中心混合，轉速為800～2000r/min，時間為20～40s。

8.根據權利要求4所述的PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，所述復合材料預壓片的厚度為0.8～2.0mm。

9.根據權利要求 4所述的PTFE復合介質基板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，熱壓壓強為8～10MPa，熱壓溫度為360～390℃，熱壓時間為5～8h。