[發明專利]一種化學機械研磨拋光墊整修器及其制備方法在審
| 申請號： | 202110573683.X | 申請日： | 2021-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN113199400A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;陳石;廖培君 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/12 | 分類號： | B24B53/12;B24B53/017;B24D18/00 |
| 代理公司： | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人： | 王巖 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化學 機械 研磨 拋光 整修 及其 制備 方法 | ||
1.一種化學機械研磨拋光墊整修器，其特征在于，所述拋光墊整修器包括基底以及連接于所述基底表面的至少一個修整磨粒，所述修整磨粒為所述基底材料直接加工得到。
2.根據權利要求1所述的拋光墊整修器，其特征在于，所述基底的材料包括氧化鋁、立方氮化硼、碳化硅、碳化鎢或碳化硼中的任意一種或至少兩種的組合。
3.根據權利要求1或2所述的拋光墊整修器，其特征在于，所述修整磨粒的形狀包括圓錐、棱錐、棱臺、圓臺或坡屋頂型中的任意一種或至少兩種的組合。
4.根據權利要求1-3任一項所述的拋光墊整修器，其特征在于，所述修整磨粒的尺寸為50～500μm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的拋光墊整修器，其特征在于，相鄰所述修整磨粒的間距為50～500μm。
6.根據權利要求1-5任一項所述的拋光墊整修器，其特征在于，所述修整磨粒的高度差小于20μm。
7.一種權利要求1-6任一項所述的化學機械研磨拋光墊整修器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
將基底材料的粉末燒結成碟形坯料，利用激光對所述碟形坯料表面進行刻蝕得到修整磨粒。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕前對所述碟形坯料進行機加工至所需尺寸。
9.根據權利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述激光為超短脈沖激光。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述激光的脈沖時間寬度小于1ns。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波江豐電子材料股份有限公司，未經寧波江豐電子材料股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110573683.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
