[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202110573257.6
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113764430A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 韓赫;金臺鏞;李根;李正吉;林泰洙;崔韓梅
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

柵電極，所述柵電極在垂直于襯底的上表面的第一方向上堆疊并且彼此間隔開；

層間絕緣層，所述層間絕緣層與所述柵電極交替堆疊在所述襯底上；

溝道結構，所述溝道結構延伸穿過所述柵電極；和

分隔區域，所述分隔區域在所述第一方向上延伸穿過所述柵電極，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，每個所述柵電極包括順序堆疊的第一導電層和第二導電層，所述第二導電層包括金屬氮化物，并且

其中，所述第一導電層和所述第二導電層均與所述分隔區域物理接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層位于所述第二導電層的上表面、下表面和第一側表面上，并且

所述第二導電層的第二側表面與所述分隔區域物理接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層包括鎢、鉬和/或銅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層包括氮化鈦、氮化鉭和/或氮化鎢。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，每個所述柵電極還包括位于相應的所述層間絕緣層與所述第一導電層之間的阻擋金屬層，

其中，所述阻擋金屬層與所述分隔區域物理接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層具有相對于所述第一導電層朝向所述分隔區域突出的區域。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，每個所述柵電極還包括位于相應的所述層間絕緣層與所述第一導電層之間的阻擋金屬層，

其中，所述阻擋金屬層與所述分隔區域物理接觸，并且所述阻擋金屬層相對于所述第一導電層的與所述分隔區域接觸的表面進一步朝向所述分隔區域突出。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述層間絕緣層相對于所述柵電極朝向所述分隔區域突出。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相鄰的所述層間絕緣層之間的間隔的1％至30％的范圍內。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相鄰的所述層間絕緣層之間的間隔的10％至20％的范圍內。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層在所述第一方向上的厚度在0.5nm至8nm的范圍內。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電層在所述第一方向上的厚度在1nm至5nm的范圍內。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層的在相鄰的所述層間絕緣層與所述第二導電層之間的在所述第一方向上的厚度是基本上均勻的，并且

所述第二導電層在所述第一方向上的厚度是基本上均勻的。

14.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

柵電極，所述柵電極在垂直于襯底的上表面的第一方向上堆疊并且彼此間隔開；

層間絕緣層，所述層間絕緣層與所述柵電極交替堆疊在所述襯底上；

溝道結構，所述溝道結構延伸穿過所述柵電極；和

分隔區域，所述分隔區域在所述第一方向上延伸穿過所述柵電極，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，每個所述柵電極包括順序堆疊的第一導電層和第二導電層，

其中，所述第二導電層在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相鄰的所述層間絕緣層之間的間隔的1％至30％的范圍內。