[發明專利]一種磁場的測量裝置

有效

• 申請號: 202110573239.8
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113219383B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 溫小靜;林煒鵬;蔡燕敏;劉秋武;黃仕凰;李卓凡
• 申請（專利權）人: 韓山師范學院
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識產權代理有限公司 11385
• 代理人: 程華

1.一種磁場的測量裝置，其特征在于，包括：襯底層（10）、結構層（20）和形變部（202）；

所述結構層（20）設置于所述襯底層（10）上；

所述結構層（20）包括周期排布的結構單元，每個結構單元包括n個矩形條（201），所述矩形條（201）兩兩之間首尾順次相接圍成環形，所述矩形條（201）共面且兩兩之間設置間距，所述矩形條（201）中至少有兩個的長徑比不同，n都為自然數且n大于等于3；所述矩形條的材質為石墨烯；所述形變部（202）設置于所述矩形條（201）兩兩之間首尾相接圍成的環形中，所述形變部（202）為磁致伸縮材料；所述襯底層（10）和結構層（20）之間還設置有介質層（30）和貴金屬層（40），所述貴金屬層（40）位于靠近襯底層（10）的一側，貴金屬層（40）為貴金屬薄膜，介質層（30）為磁致伸縮材料；所述矩形條（201）為多層相同大小、相同材質的石墨烯，石墨烯的層數沿著順時針或者逆時針方向逐漸增減或者減小，使得結構層（20）變成三維的類螺旋結構，從而使所述結構層（20）在左旋圓偏振光和右旋圓偏振光的照射下透射率有更大的差異；

其中，在圓偏振光照射下，所述結構層（20）的表面激發表面等離激元效應；向所述結構層（20）施加外加磁場后，讓所述結構層（20）表面的電荷回旋運動的方向發生改變，使得左旋和右旋圓偏振光照射下所述結構層（20）的折射率不同，也就是左旋和右旋圓偏振光照射下所述結構層（20）的透射率會產生差異，從而用該透射率的差異反映磁場的大小，進而實現對磁場的測量。

2.根據權利要求1所述的一種磁場的測量裝置，其特征在于，所述矩形條（201）的長度為120nm-1000nm。

3.根據權利要求2所述的一種磁場的測量裝置，其特征在于，所述矩形條（201）的長徑比為1/6-1/2。

4.根據權利要求3所述的一種磁場的測量裝置，其特征在于，所述矩形條（201）兩兩之間的間距小于120nm。

5.根據權利要求4所述的一種磁場的測量裝置，其特征在于，所述矩形條（201）兩兩之間的間距不相同。

6.根據權利要求1所述的一種磁場的測量裝置，其特征在于，所述襯底層（10）包括：硅襯底層、氮化硅襯底層或玻璃襯底層中的一種。