[發明專利]一種三維非易失性存儲器及其數據擦除驗證方法

有效

• 申請號: 202110573212.9
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113223596B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 井沖;曹宏
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C29/44;G11C29/50
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，所述三維非易失性存儲器包括多個存儲塊，其特征在于，所述數據擦除驗證方法包括：

響應于對所述多個存儲塊中的至少一個存儲塊執行擦除操作，對所述至少一個存儲塊執行第一擦除驗證操作；

反饋所述第一擦除驗證操作的結果，并基于所反饋的結果執行以下操作：

如果所述至少一個存儲塊的所述第一擦除驗證失敗，則將其標記為后續不進行編程操作或寫入操作的壞塊，以及

如果所述至少一個存儲塊的所述第一擦除驗證成功，則繼續對其執行第二擦除驗證操作，其中，所述第二擦除驗證操作包括字線間漏電檢測，通過待檢測字線在預設時間內的電壓變化來鑒別所述待檢測字線與相鄰字線之間的漏電狀態。

2.根據權利要求1所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其特征在于，所述數據擦除驗證方法還包括：

針對已執行所述第二擦除驗證操作的所述至少一個存儲塊，反饋所述第二擦除驗證操作的結果，并基于所反饋的結果執行以下操作：

如果所述至少一個存儲塊的所述第二擦除驗證失敗，則將其標記為后續不進行編程操作或寫入操作的所述壞塊，以及

如果所述至少一個存儲塊的所述第二擦除驗證成功，則將其標記為可用塊。

3.根據權利要求1或2所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其特征在于，所述第一擦除驗證操作包括：

向所述至少一個存儲塊施加第一擦除驗證電壓，并基于所施加的第一擦除驗證電壓驗證所述第一擦除驗證操作是否成功。

4.根據權利要求3所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其中，所述多個存儲塊包括多個存儲單元以及與所述存儲單元耦接的多個字線，其特征在于，所述對所述至少一個存儲塊施加所述第一擦除驗證電壓的步驟包括：

向所述至少一個存儲塊的所述多個字線同時地或順序地施加所述第一擦除驗證電壓。

5.根據權利要求1所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其特征在于，所述字線間漏電檢測通過內置在所述存儲器中的字線間漏電檢測模塊進行。

6.根據權利要求1所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其特征在于，所述字線間漏電檢測包括：

向所述待檢測字線施加漏電檢測電壓，并將與所述待檢測字線相鄰的字線接地；

當所述待檢測字線的電壓達到預定值時，停止向所述待檢測字線施加所述漏電檢測電壓；以及

經過預設時間后，檢測所述待檢測字線的電壓，并將所檢測到的電壓與參考電壓進行比較以確定所述待檢測字線的漏電狀態。

7.根據權利要求1所述的三維非易失性存儲器的數據擦除驗證方法，其特征在于，所述第二擦除驗證操作包括：

在對所述至少一個存儲塊執行所述字線間漏電檢測時，僅針對所述至少一個存儲塊中的預定范圍的字線進行。

8.一種三維非易失性存儲器的數據擦除方法，所述三維非易失性存儲器包括多個存儲塊，所述多個存儲塊包括多個存儲單元以及與所述存儲單元耦接的多個字線，其特征在于，所述數據擦除方法包括：

在所述多個存儲塊中選擇至少一個存儲塊；

對所選擇的至少一個存儲塊進行擦除操作；以及

執行根據權利要求1-7中任一項所述的數據擦除驗證方法，以驗證所述擦除操作是否成功。

9.根據權利要求8所述的三維非易失性存儲器的數據擦除方法，其特征在于，所述數據擦除方法還包括：

為所述擦除操作設定最大擦除次數；

響應于所述第一擦除驗證反饋失敗，判斷已進行的擦除操作次數是否達到所述最大擦除次數：

如果是，則將相應的存儲塊標記為后續不進行編程操作或寫入操作的壞塊；

否則，重復所述擦除操作和所述第一擦除驗證操作。