[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110572228.8
• 申請(qǐng)日: 2021-05-25
• 公開（公告）號(hào): CN113363326A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志慶;何炯煦;謝文興;程冠倫;吳志強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

溝道層，設(shè)置在襯底上方，其中，所述溝道層具有第一水平段、第二水平段和垂直段，所述垂直段在所述第一水平段和所述第二水平段之間延伸并且連接所述第一水平段和所述第二水平段，并且其中：

所述第一水平段和所述第二水平段沿著第一方向延伸，并且所述垂直段沿著不同于所述第一方向的第二方向延伸，并且

所述垂直段具有沿著所述第一方向的寬度和沿著所述第二方向的厚度其中，所述厚度大于所述寬度；

第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件，設(shè)置在所述襯底上方，其中，所述溝道層沿著第三方向在所述第一源極/漏極部件和所述第二源極/漏極部件之間延伸，其中，所述第三方向不同于所述第一方向和所述第二方向；以及

金屬柵極，設(shè)置在所述第一源極/漏極部件和所述第二源極/漏極部件之間，其中，所述金屬柵極包裹所述溝道層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一水平段和所述垂直段形成第一T溝道，并且所述第二水平段形成第二T溝道的部分，其中，所述第一T溝道設(shè)置在所述第二T溝道上方。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述垂直段是第一垂直段，并且所述溝道層還包括第二垂直段，所述第二垂直段在所述第二水平段和所述襯底之間延伸并且將所述第二水平段連接至所述襯底，所述第二垂直段沿著所述第二方向延伸，并且所述第二垂直段形成所述第二T溝道的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一水平段、所述第二水平段和所述垂直段形成H形溝道，所述H形溝道懸置在所述襯底之上并且與所述襯底分隔開。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝道層是第一溝道層，并且所述半導(dǎo)體器件還包括垂直地設(shè)置在所述H形溝道和所述襯底之間的第二溝道層，其中，所述第二溝道層包括第三水平段，所述第三水平段懸置在所述襯底之上并且與所述襯底分隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第三水平段不同于所述第一水平段和所述第二水平段。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一水平段、所述第二水平段和所述垂直段形成H形溝道；并且

所述垂直段是第一垂直段，并且所述溝道層還包括第二垂直段，所述第二垂直段在所述第二水平段和所述襯底之間延伸并且將所述第二水平段連接至所述襯底，并且所述第二垂直段沿著所述第二方向延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝道層是第一溝道層，并且所述半導(dǎo)體器件還包括設(shè)置的第二溝道層，其中，所述H形溝道垂直地設(shè)置在所述第二溝道層和所述襯底之間，并且其中，所述第二溝道層包括第三水平段，所述第三水平段懸置在所述襯底之上并且與所述襯底分隔開。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

溝道，設(shè)置在襯底上方，其中，所述溝道包括第一納米片、第二納米片和連接所述第一納米片和所述第二納米片的納米片連接部分，其中：

沿著垂直于所述襯底的第一方向，在所述第一納米片和所述第二納米片之間存在距離，

所述納米片連接部分具有沿著第二方向的厚度，所述第二方向與所述襯底平行，并且

所述厚度小于所述距離；

第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件，設(shè)置在所述襯底上方，其中，所述第一納米片和所述第二納米片沿著第三方向從所述第一源極/漏極部件和所述第二源極/漏極部件延伸，其中，所述第三方向不同于所述第一方向和所述第二方向；以及

金屬柵極，設(shè)置在所述第一源極/漏極部件和所述第二源極/漏極部件之間，其中，所述金屬柵極包裹所述溝道。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底上方形成半導(dǎo)體層堆疊件，其中，所述半導(dǎo)體層堆疊件包括以交替配置垂直堆疊的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；

形成半導(dǎo)體線，所述半導(dǎo)體線從所述第一半導(dǎo)體層中的第一個(gè)穿過所述第二半導(dǎo)體層中的一個(gè)延伸至所述第一半導(dǎo)體層中的第二個(gè)，其中，所述半導(dǎo)體線具有第一寬度；

圖案化所述半導(dǎo)體層堆疊件以形成從所述襯底延伸的鰭結(jié)構(gòu)，其中，所述鰭結(jié)構(gòu)包括所述半導(dǎo)體線、所述第一半導(dǎo)體層中的所述第一個(gè)的部分、所述第二半導(dǎo)體層中的所述一個(gè)的部分以及所述第一半導(dǎo)體層中的所述第二個(gè)的部分；

選擇性地去除所述第二半導(dǎo)體層中的所述一個(gè)的所述部分，使得所述第一半導(dǎo)體層中的所述第一個(gè)與所述第一半導(dǎo)體層中的所述第二個(gè)沿著第一方向分隔開一定距離，并且所述半導(dǎo)體線沿著所述第一方向在所述第一半導(dǎo)體層中的所述第一個(gè)和所述第一半導(dǎo)體層中的所述第二個(gè)之間延伸并且將所述第一半導(dǎo)體層中的所述第一個(gè)連接至所述第一半導(dǎo)體層中的所述第二個(gè)；

修整所述半導(dǎo)體線以將所述第一寬度減小至第二寬度，其中，所述第一寬度和所述第二寬度沿著不同于所述第一方向的第二方向，所述第一寬度大于所述距離，并且所述第二寬度小于所述距離。