[發明專利]一種硅襯底化學機械拋光方法在審
| 申請號： | 202110571775.4 | 申請日： | 2021-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN113370001A | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 孫韜;步崢崢;汪文君 | 申請（專利權）人： | 上海工程技術大學 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B37/00;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海唯智贏專利代理事務所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 吳瑾瑜 |
| 地址： | 201620 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 化學 機械拋光 方法 | ||
1.一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)使用含磨料粒子的拋光液對拋光墊進行激活處理，所述激活處理包括預拋光處理，所述預拋光處理是指使用含磨料粒子的拋光液對拋光墊進行拋光；
(2)將待加工工件置于激活處理后的拋光墊上方，使用不含磨料粒子的拋光液對待加工工件的表面進行拋光加工。
2.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述磨料粒子為硅溶膠磨粒、四氮化三硅磨粒和氧化鈰磨粒中的一種以上。
3.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述磨料粒子的粒徑為30～130nm；
所述含磨料粒子的拋光液中磨料粒子的質量百分比為2～40％。
4.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述拋光墊為suba 800、suba600拋光墊或者阻尼布。
5.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述預拋光處理及拋光加工是使用拋光機進行的，所述拋光機為sainko拋光機。
6.根據權利要求5所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述拋光機包括磨盤和拋光頭；
在進行預拋光處理及拋光加工時，磨盤和拋光頭的轉速相同或不同，為20～60rpm。
7.根據權利要求6所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，在進行預拋光處理及拋光加工時，拋光液的流量相同或不同，為90～150mL/min，壓力相同或不同，為129～239g/cm2。
8.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述激活處理還包括預拋光處理后的清洗處理。
9.根據權利要求8所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述清洗處理是指在清洗劑的沖洗下使用刷子刷洗拋光墊5～10min，。
10.根據權利要求1所述的一種硅襯底化學機械拋光方法，其特征在于，所述不含磨料粒子的拋光液為碳酸鉀水溶液、碳酸氫鉀水溶液或硅酸鹽水溶液。
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