[發明專利]一種4K光刻的方法

在審

• 申請號: 202110571029.5
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN115390362A
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 嚴振中;吳陽
• 申請（專利權）人: 赫智科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 廖娜

本發明涉及一種4K光刻的方法，包括以下步驟：步驟1：將紫外光和指引光進行準直處理；步驟2：通過二向色鏡后進行合束；步驟3：通過勻光透鏡組出來的光是均勻的發散光；步驟4：通過第一分光片；步驟5：在步驟4基礎上，通過第一光掩模板反射回來的光將帶著第一光掩模板上面的信息，接著再通過第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息與第二光掩模板的信息形成錯位重合；步驟6：將重合的第二光掩模板與第一光掩模板所攜帶的信息，經透射通過第二分光片、第三分光片與照明光實現合束后通過第四分光片實現了圖形的轉移，最后，由相機成像觀測。本發明能提高光刻的精度。

技術領域

本發明屬于光刻機技術領域，尤其涉及一種4K光刻的方法。

背景技術

光刻技術在微納加工和當代集成電路領域是一種不可或缺的技術，常見的光刻技術包含接觸式、接近式和投影式。接觸式會導致掩模板的污染，接近式由于引入間隙，對于工藝水平提高了更高的要求。投影式則能夠有效地避免了以上的問題，同時對于光刻圖形的設計具有更高的靈活性。常見的有激光直寫和DMD投影兩種方式，DMD投影光刻采用的是圖形拼接技術，所以在效率上有著更加明顯的優勢。目前DMD的最高分辨率為2560*1600，無法實現單個DMD的4K光刻，硬件的限制使其在工作時的精度無法進一步提高。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明的目的是提供一種4K光刻的方法。

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種4K光刻的方法，包括以下步驟：

步驟1：將紫外光和指引光分別通過第一準直透鏡組和第二準直透鏡組進行準直處理；

步驟2：通過二向色鏡后進行合束，再通過聚焦透鏡組聚焦在勻光透鏡組的入射端面；

步驟3：通過勻光透鏡組出來的光是均勻的發散光，再通過第三準直透鏡組，變成均勻的準直光；

步驟4：通過第一分光片，將光透射到第一光掩模板上；

步驟5：在步驟4基礎上，通過第一光掩模板反射回來的光將帶著第一光掩模板上面的信息，接著再通過第一分光片和第二分光片反射到第二光掩模板上，使第一光掩模板的信息與第二光掩模板的信息形成錯位重合；

步驟6：將重合的第二光掩模板與第一光掩模板所攜帶的信息，經透射通過第二分光片，再通過第三分光片與照明光實現合束；

步驟7：通過第四分光片，光束打到樣品上，照射出光掩模板上面的信息，實現了圖形的轉移，最后，反射到相機中的光可以對樣品進行4K的實時成像觀測。

優選地，所述的一種4K光刻的方法，所述第一光掩模板和第二光掩模板的分辨率為相同的分辨率。

優選地，所述的一種4K光刻的方法，所述步驟5中第一光掩模板的信息與第二光掩模板的信息形成的錯位重合為邊角的錯位重疊。

優選地，所述的一種4K光刻的方法，所述第一光掩模板可與4個第二光掩模板的邊角進行錯位重疊。

優選地，所述的一種4K光刻的方法，所述步驟5中的第一光掩模板上面的信息為圖形結構。

借由上述方案，本發明至少具有以下優點：

1、本發明相比于傳統接觸式的掩模板，不會污染光掩模板，同時靈活性更高；

2、本發明相比于激光直寫，其工作效率更高；

3、本發明通過使用兩塊相同分辨率的光掩模板，并在對角線方向上進行錯位放置，可以實現四倍的分辨率的效果，從而達到更高精度光刻。使其能達到4K分辨率的光刻。