[發(fā)明專利]晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110568594.6
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113035832B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳春悅;何正鴻
• 申請（專利權(quán)）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/49;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/66;H01L23/60;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/04
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 嚴(yán)誠

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)中，芯片的兩側(cè)分別設(shè)置第一重新布線層和第二重新布線層，鋁墊與第一重新布線層連接，第一重新布線層通過導(dǎo)電柱與第二重新布線層連接，而晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)的金屬凸塊連接于第二重新布線層。該晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)具有較佳的穩(wěn)定性，不容易因熱沖擊而發(fā)生局部斷裂。此外，由于設(shè)置了兩個重新布線層，因此可以集成更多的功能，并且集成度較高。本申請?zhí)峁┑闹谱鞣椒ㄓ糜谥谱魃鲜龅木A級芯片封裝結(jié)構(gòu)，本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備包括上述的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的芯片封裝結(jié)構(gòu)中，芯片往往倒裝在基板上，芯片與其連接的基板熱膨脹系數(shù)不同，可能會導(dǎo)致在芯片受到熱沖擊時，芯片與基板之間產(chǎn)生較大的應(yīng)力導(dǎo)致二者的連接不夠穩(wěn)定，容易斷裂。并且受限于封裝方式，現(xiàn)有的晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)不容易實(shí)現(xiàn)將更多的功能（比如天線功能、屏蔽功能）高密度集成。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的目的包括提供一種晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法和電子設(shè)備，其具有較佳的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，并能夠高密度地集成更多功能。

本申請的實(shí)施例可以這樣實(shí)現(xiàn)：

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

芯片，芯片具有相對的第一面和第二面，第一面設(shè)置有鋁墊；

包裹芯片的第一面和側(cè)面的塑封體，塑封體露出芯片的鋁墊；

第一重新布線層，第一重新布線層位于芯片的第一面所朝的一側(cè)，第一重新布線層與芯片的鋁墊電連接；

與第一重新布線層電連接的功能結(jié)構(gòu)，功能結(jié)構(gòu)包括天線結(jié)構(gòu)和屏蔽層中的至少一者；

覆蓋芯片的第二面和塑封體的第二重新布線層，第二重新布線層與第一重新布線層通過貫穿塑封體的導(dǎo)電柱電連接；

與第二重新布線層電連接的金屬凸塊。

在可選的實(shí)施方式中，晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括鈍化層，鈍化層覆蓋于塑封體的表面，并通過開口露出鋁墊，重新布線層通過鈍化層的開口與鋁墊電連接。

在可選的實(shí)施方式中，第一重新布線層包括第一線路和包裹第一線路的第一介電材料，第一線路通過第一介電材料上的開口與功能結(jié)構(gòu)電連接；

第二重新布線層包括第二線路和包裹第二線路的第二介電材料，金屬凸塊通過第二介電材料上的開口與第二線路電連接。

在可選的實(shí)施方式中，功能結(jié)構(gòu)包括屏蔽層和天線結(jié)構(gòu)，屏蔽層設(shè)置于第一重新布線層遠(yuǎn)離芯片的一側(cè)，并與第一重新布線層的接地端連接；天線結(jié)構(gòu)位于晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)的表面，并與第一重新布線層的反饋端連接。

在可選的實(shí)施方式中，天線結(jié)構(gòu)與屏蔽層并排設(shè)置或者至少部分重疊于屏蔽層之上。

在可選的實(shí)施方式中，芯片包括具有不同功能的第一芯片和第二芯片。

在可選的實(shí)施方式中，芯片的第二面與第二重新布線層之間還設(shè)置有屏蔽導(dǎo)熱層。

第二方面，本申請?zhí)峁┮环N晶圓級芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

獲取芯片，芯片具有相對的第一面和第二面，第一面設(shè)置有鋁墊，將芯片的第二面貼附在載具上；

制作塑封體包裹芯片的第一面和側(cè)面，并露出芯片的鋁墊；

制作與鋁墊電連接的第一重新布線層；

在第一重新布線層上制作功能結(jié)構(gòu)，功能結(jié)構(gòu)包括天線結(jié)構(gòu)和屏蔽層中的至少一者；