[發明專利]晶圓級芯片封裝結構及其制作方法和電子設備

有效

• 申請號: 202110568594.6
• 申請日: 2021-05-25
• 公開（公告）號: CN113035832B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 吳春悅;何正鴻
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/49;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/66;H01L23/60;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/04
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 嚴誠

本申請提供了一種晶圓級芯片封裝結構及其制作方法和電子設備，涉及半導體技術領域。晶圓級芯片封裝結構中，芯片的兩側分別設置第一重新布線層和第二重新布線層，鋁墊與第一重新布線層連接，第一重新布線層通過導電柱與第二重新布線層連接，而晶圓級芯片封裝結構的金屬凸塊連接于第二重新布線層。該晶圓級芯片封裝結構具有較佳的穩定性，不容易因熱沖擊而發生局部斷裂。此外，由于設置了兩個重新布線層，因此可以集成更多的功能，并且集成度較高。本申請提供的制作方法用于制作上述的晶圓級芯片封裝結構，本申請提供的電子設備包括上述的晶圓級芯片封裝結構。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種晶圓級芯片封裝結構及其制作方法和電子設備。

背景技術

現有的芯片封裝結構中，芯片往往倒裝在基板上，芯片與其連接的基板熱膨脹系數不同，可能會導致在芯片受到熱沖擊時，芯片與基板之間產生較大的應力導致二者的連接不夠穩定，容易斷裂。并且受限于封裝方式，現有的晶圓級芯片封裝結構不容易實現將更多的功能（比如天線功能、屏蔽功能）高密度集成。

發明內容

本申請的目的包括提供一種晶圓級芯片封裝結構及其制作方法和電子設備，其具有較佳的結構穩定性，并能夠高密度地集成更多功能。

本申請的實施例可以這樣實現：

第一方面，本申請提供一種晶圓級芯片封裝結構，包括：

芯片，芯片具有相對的第一面和第二面，第一面設置有鋁墊；

包裹芯片的第一面和側面的塑封體，塑封體露出芯片的鋁墊；

第一重新布線層，第一重新布線層位于芯片的第一面所朝的一側，第一重新布線層與芯片的鋁墊電連接；

與第一重新布線層電連接的功能結構，功能結構包括天線結構和屏蔽層中的至少一者；

覆蓋芯片的第二面和塑封體的第二重新布線層，第二重新布線層與第一重新布線層通過貫穿塑封體的導電柱電連接；

與第二重新布線層電連接的金屬凸塊。

在可選的實施方式中，晶圓級芯片封裝結構還包括鈍化層，鈍化層覆蓋于塑封體的表面，并通過開口露出鋁墊，重新布線層通過鈍化層的開口與鋁墊電連接。

在可選的實施方式中，第一重新布線層包括第一線路和包裹第一線路的第一介電材料，第一線路通過第一介電材料上的開口與功能結構電連接；

第二重新布線層包括第二線路和包裹第二線路的第二介電材料，金屬凸塊通過第二介電材料上的開口與第二線路電連接。

在可選的實施方式中，功能結構包括屏蔽層和天線結構，屏蔽層設置于第一重新布線層遠離芯片的一側，并與第一重新布線層的接地端連接；天線結構位于晶圓級芯片封裝結構的表面，并與第一重新布線層的反饋端連接。

在可選的實施方式中，天線結構與屏蔽層并排設置或者至少部分重疊于屏蔽層之上。

在可選的實施方式中，芯片包括具有不同功能的第一芯片和第二芯片。

在可選的實施方式中，芯片的第二面與第二重新布線層之間還設置有屏蔽導熱層。

第二方面，本申請提供一種晶圓級芯片封裝結構的制作方法，包括：

獲取芯片，芯片具有相對的第一面和第二面，第一面設置有鋁墊，將芯片的第二面貼附在載具上；

制作塑封體包裹芯片的第一面和側面，并露出芯片的鋁墊；

制作與鋁墊電連接的第一重新布線層；

在第一重新布線層上制作功能結構，功能結構包括天線結構和屏蔽層中的至少一者；