[發明專利]BiVO4 有效
| 申請號： | 202110566485.0 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113403642B | 公開（公告）日： | 2022-09-16 |
| 發明（設計）人： | 白紅葉;孫東甜;范偉強;白亞杰;龐緒良 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | C25B11/091 | 分類號： | C25B11/091;C25B11/053;C25B1/04;C25B1/55;C25D9/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | bivo base sub | ||
1.一種BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
A、在50mL去離子水中加入3.32g KI和0.97g Bi(NO3)3·5H2O，攪拌溶解后用濃硝酸調節pH為1.7，命名為A溶液；將0.4968g對苯醌加入到20mL乙醇中，攪拌至溶解，命名為B溶液；將所述A與B溶液混合，攪拌均勻后即為前驅體溶液；在清洗干凈的FTO表面電沉積獲得BiOI薄膜，在其表面滴加釩源之后，300～550℃煅燒1～4h，得到BiVO4薄膜，其中，所述電沉積，以FTO為工作電極，Ag/AgCl和Pt分別為參比電極和對電極，與電化學工作站相連，設置偏壓為-0.1V vs.Ag/AgCl，時間為5min；
B、四個燒杯分別添加50mL去離子水并編號1、2、3、4，在1號燒杯中溶解0.05～0.15mmolCo(NO3)2·6H2O，在3號燒杯中溶解0.05～0.15mmol Na2S；
C、將負載有BiVO4的FTO片依編號次序在上述燒杯中浸泡，循環10-50次后取出，去離子水洗凈，室溫干燥，即可得到BiVO4/Co1-XS。
2.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟A所述在其表面滴加釩源之后，450℃煅燒2h，得到BiVO4薄膜。
3.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟A所述清洗干凈的FTO玻璃片，先清潔FTO玻璃片表面，然后在丙酮、異丙醇和乙二醇中分別對其超聲波清洗0.5h，取出，晾干。
4.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟A所述釩源為含有0.2M乙酰丙酮氧釩的二甲亞砜溶液。
5.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟B所述在1號燒杯中溶解0.1mmol Co(NO3)2·6H2O。
6.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟B所述在3號燒杯中溶解0.1mmol Na2S。
7.根據權利要求1所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的制備方法，其特征在于：步驟C所述將負載有BiVO4的FTO片依編號次序在上述燒杯中浸泡，循環30次后取出。
8.根據權利要求1-7任一所述方法制備得到的BiVO4/Co1-XS復合光電極，其特征在于：所述復合光電極中BiVO4呈現出蠕蟲狀結構，復合Co1-XS后，BiVO4表面具有明顯的納米顆粒。
9.一種如權利要求8所述BiVO4/Co1-XS復合光電極的應用，其特征在于：將其應用于光電催化分解水制氫。
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