[發(fā)明專利]填充材料及制備方法、高延展性低輪廓電解銅箔制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110565980.X
• 申請(qǐng)日: 2021-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN113354445B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳智棟;卜李銀;王文昌;吳敏賢;明小強(qiáng);王朋舉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州大學(xué);江蘇銘豐電子材料科技有限公司
• 主分類號(hào): C25D1/04
• 分類號(hào): C25D1/04;C25D3/38;C04B41/84
• 代理公司: 北京睿智保誠(chéng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

本發(fā)明屬于添加劑分解產(chǎn)物去除技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種填充材料及制備方法、高延展性低輪廓電解銅箔制造方法。本填充材料包括：ZrCl₄：2.5g；印跡分子：0.25?25g；DMF：568.8g；BDC：1g；PC：1.25?25g。本填充材料的制備方法包括：ZrCl₄和印跡分子于容器中形成反應(yīng)物；反應(yīng)物中加入DMF超聲溶解形成反應(yīng)溶液；反應(yīng)溶液中加入BDC超聲溶解；PC浸漬于反應(yīng)溶液中攪拌；通過水熱法處理反應(yīng)溶液去除添加劑分解產(chǎn)物分子，制備印跡有添加劑分解產(chǎn)物分子鑄型結(jié)構(gòu)的填充材料。本發(fā)明可有效對(duì)添加劑分解產(chǎn)物選擇性吸附，達(dá)到有效去除添加劑分解產(chǎn)物、使銅的電沉積薄膜中不混入分解產(chǎn)物、實(shí)現(xiàn)電流在陰極和陽極上均勻分布、提高電解銅箔品質(zhì)以及制備高延展性低輪廓電解銅箔的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于添加劑分解產(chǎn)物去除技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種填充材料及制備方法、高延展性低輪廓電解銅箔制造方法。

背景技術(shù)

銅箔作為線路板中電子與信號(hào)傳導(dǎo)通道的載體，是印制線路板(PCB)制造中最重要原料之一，隨著5G的興起，伴隨著傳輸信號(hào)頻率的增大，高頻信號(hào)在傳輸線的銅箔表面產(chǎn)生的“趨膚效應(yīng)”越來越顯著，當(dāng)傳輸信號(hào)為5G時(shí)，其信號(hào)在導(dǎo)線表面的傳輸厚度為0.93μm左右，也就是說信號(hào)傳輸僅在粗糙度的厚度范圍內(nèi)進(jìn)行，那么必然產(chǎn)生嚴(yán)重的信號(hào)“駐波”和“反射”等，使信號(hào)造成損失，甚至形成嚴(yán)重或完全失真。銅箔表面越粗糙，信號(hào)損耗隨之增大。因此，隨著5G技術(shù)的普及以及信號(hào)傳輸不斷向高頻發(fā)展，適用于高頻PCB的表面低粗糙度的低輪廓電解銅箔逐漸被人們所關(guān)注。

為了制備低輪廓電解銅箔，需要在銅電沉積溶液中加入添加劑(光亮劑和整平劑)。然而，伴隨著銅電沉積的進(jìn)行，一些添加劑會(huì)因氧化而分解。另外，一般電沉積溫度均高于50℃，在此溫度下，難免會(huì)發(fā)生添加劑在經(jīng)過生箔機(jī)槽體后，一部分被氧化分解。這些添加劑分解產(chǎn)物對(duì)于銅的電沉積不僅沒有幫助，伴隨著銅的電沉積，會(huì)夾雜進(jìn)入銅的沉積層中，反而還會(huì)影響電解銅箔的品質(zhì)，如會(huì)降低銅箔的延展性和抗拉強(qiáng)度等，必須及時(shí)除去。所以，目前現(xiàn)行工藝，在電解液循環(huán)過程中，會(huì)在管路中添加活性炭，以便去除添加劑分解產(chǎn)物。但是，活性炭對(duì)有機(jī)物的去除是沒有選擇性的，活性炭不僅去除了添加劑分解產(chǎn)物，同時(shí)也去除了添加劑，由此造成添加劑和活性炭的大量浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種填充材料及制備方法、高延展性低輪廓電解銅箔制造方法，以解決在高延展性低輪廓電解銅箔生產(chǎn)工藝中，有效去除銅電解液中的添加劑分解產(chǎn)物、提高電解銅箔的延展性和降低銅箔的粗糙度的技術(shù)問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了填充材料，包括以下原料：

ZrCl4：2.5g；

印跡分子：0.25-25g；

N’N-二甲基甲酰胺(DMF)：568.8g；

2-氨基對(duì)苯二甲酸(BDC)：1g；

多孔陶瓷(PC)：1.25-25g。

又一方面，本發(fā)明還提供了填充材料的制備方法，包括：

步驟S01：將氯化鋯(ZrCl₄)和印跡分子于容器中形成反應(yīng)物；

步驟S02：在反應(yīng)物中加入N’N-二甲基甲酰胺(DMF)并超聲溶解形成反應(yīng)溶液；

步驟S03：在反應(yīng)溶液中加入2-氨基對(duì)苯二甲酸(BDC)并超聲溶解；

步驟S04：將多孔陶瓷(PC)浸漬于反應(yīng)溶液中并攪拌；

步驟S05：采用水熱法處理反應(yīng)溶液，去除添加劑分解產(chǎn)物分子、制備晶體狀的印跡有添加劑分解產(chǎn)物分子鑄型結(jié)構(gòu)的填充材料(MI-Zr-MOFs/PC)。

進(jìn)一步，所述步驟S05包括：