[發明專利]陶瓷基復合材料用耐高溫、抗水氧低紅外發射率復合薄膜及制備方法有效
| 申請號： | 202110565962.1 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113403594B | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發明（設計）人： | 范曉孟;李鑫;羅豪杰;劉永勝;葉昉;薛繼梅 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/14 |
| 代理公司： | 西安凱多思知識產權代理事務所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 復合材料 耐高溫 抗水氧低 紅外 發射 復合 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備陶瓷基復合材料用耐高溫、抗水氧低紅外發射率復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述陶瓷基復合材料用耐高溫、抗水氧低紅外發射率復合薄膜由高導電金屬材料和環境屏障涂層材料，在目標物體表面使用磁控濺射法混合均勻摻雜而成復合薄膜，其中高導電金屬材料組分含量為30-70vol.％；
制備方法步驟如下：
步驟1：將目標物體表面清洗干凈后，固定于磁控濺射沉積載臺；
步驟2：以金屬和陶瓷靶材作為磁控濺射靶，濺射背景真空為低于8×10-1Pa；
步驟3：通入氣氛為純度大于等于99.99％的氬氣，調整濺射氣壓至(3-9)×10-1Pa，設定濺射功率為100-400W；
步驟4：使用直流磁控濺射金屬，采用射頻磁控濺射陶瓷靶材，濺射30-60分鐘，濺射速率為10-50nm/min，制備得到低紅外發射率復合薄膜；
所述薄膜為連續成膜的高溫導電復合薄膜，厚度≥100nm；
所述環境屏障涂層材料為鋇鍶鋁硅。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述直流磁控濺射金屬和射頻磁控濺射陶瓷靶材的濺射速率取決于金屬材料組分含量在30-70vol.％之間的調控。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述高導電金屬材料為金、銀、鈦或鉑。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西北工業大學，未經西北工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110565962.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
