[發明專利]一種無電容型十三電平逆變電路有效
| 申請號： | 202110564720.0 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113141124B | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發明（設計）人： | 藍坤靈;徐夢然;陳思哲;黎榮偉;許家浩 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H02M7/483 | 分類號： | H02M7/483 |
| 代理公司： | 深圳紫辰知識產權代理有限公司 44602 | 代理人： | 萬鵬 |
| 地址： | 510080 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電容 十三 電平 電路 | ||
1.一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，包括第一單向開關S1、第二單向開關S2、第三單向開關S7、第四單向開關S8、第一雙向開關S3、第二雙向開關S4、第三雙向開關S5、第四雙向開關S6、第一直流電源1Udc、第二直流電源2Udc、第三直流電源3Udc；
第一單向開關S1的漏極和第三單向開關S7的漏極相連，第一單向開關S1的源極和第二單向開關S2的漏極相連；第二單向開關S2的漏極和負載的正電位端相連，第二單向開關S2的源極和第四單向開關S8的源極相連；
第一雙向開關S3的第一漏極和第一單向開關S1的源極相連，第一雙向開關S3的第二漏極和第三雙向開關S5的第二漏極相連；第一雙向開關S3的第一源極和第二源極相連；第二雙向開關S4的第一漏極和第一單向開關S1的源極相連，第二雙向開關S4的第二漏極和第四雙向開關S6的第二漏極相連；第二雙向開關S4的第一源極和第二源極相連；
第三雙向開關S5的第一漏極和第三單向開關S7的源極相連，第三雙向開關S5的第二漏極和第一直流電源1Udc的負極相連；第三雙向開關S5的第一源極和第二源極相連；第四雙向開關S6的第一漏極和第三單向開關S7的源極相連，第四雙向開關S6的第二漏極和第三直流電源3Udc的負極相連；第四雙向開關的第一源極和第二源極相連；
第三單向開關S7的漏極和第一直流電源1Udc的正極相連，第三單向開關S7的源極和第四單向開關S8的漏極相連；第四單向開關S8的漏極和負載的負電位端相連，第四單向開關S8的源極和第二直流電源2Udc的負極相連；
第一直流電源1Udc的負極與第三直流電源3Udc的正極相連，第三直流電源3Udc的負極和第二直流電源2Udc的正極相連。
2.根據權利要求1所述的一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，第一單向開關S1、第二單向開關S2、第三單向開關S7、第四單向開關S8、第一雙向開關S3、第二雙向開關S4、第三雙向開關S5、第四雙向開關S6均為功率開關管。
3.根據權利要求1所述的一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，所述第一雙向開關S3、第二雙向開關S4、所述第三雙向開關S5、所述第四雙向開關S6均為兩個MOSFET背靠背連接構成。
4.根據權利要求1所述的一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，所述第一雙向開關S3、第二雙向開關S4、所述第三雙向開關S5、所述第四雙向開關S6均為兩個IGBT背靠背連接構成。
5.根據權利要求1所述的一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，所述第一單向開關S1、第二單向開關S2、第三單向開關S7、第四單向開關S8均為MOSFET 。
6.根據權利要求1所述的一種多電平逆變器拓撲結構，其特征在于，所述第一單向開關S1、第二單向開關S2、第三單向開關S7、第四單向開關S8均為IGBT 。
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