[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 202110564115.3 | 申請日: | 2021-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN113764474A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 張鎮元 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.顯示設備,包括:
多個像素,位于襯底上,所述多個像素中的每一個包括像素電路以驅動多個發光元件,
其中,所述多個像素中的每一個的所述像素電路包括:
第一晶體管,配置成向所述發光元件的第一電極提供驅動電流;以及
多個發光組,所述多個發光組中的每一個包括所述多個發光元件中的一些發光元件以及旁路單元,所述旁路單元連接在所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第一電極和第二電極之間以選擇性地使所述驅動電流的部分旁路。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述旁路單元配置成基于所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極的電壓而允許所述驅動電流的部分從中通過。
3.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,當所述多個發光組中的一些發光組被電斷開并且所述驅動電流不從中通過時,所述多個發光組中的其它發光組的旁路單元允許所述驅動電流的部分從中通過。
4.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述旁路單元包括:
放大器,配置成將所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極的電壓與參考電壓進行比較以提供輸出電壓;以及
補償晶體管,連接到所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第一電極,并且配置成基于所述放大器的所述輸出電壓而允許所述驅動電流的部分從中通過。
5.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述旁路單元包括:
補償晶體管,連接到所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第一電極,并且配置成基于所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極的電壓而導通;以及
補償二極管,連接在所述補償晶體管和所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極之間。
6.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述旁路單元包括:
補償晶體管,連接到所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第一電極,并且配置成基于所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極的電壓而導通,以允許所述驅動電流的部分從中通過;以及
第一導電圖案,連接在所述補償晶體管和所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極之間,以及
當所述多個發光元件中的所述一些發光元件的所述第二電極的所述電壓大于柵極導通電壓時,所述補償晶體管將所述驅動電流的部分提供給所述第一導電圖案。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,還包括:
半導體層,位于所述襯底上,
其中,所述第一晶體管的半導體區域、所述補償晶體管的半導體區域和所述第一導電圖案位于所述半導體層中。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其中,所述多個像素中的每一個的所述像素電路還包括:
第一連接電極,將所述發光元件的所述第一電極連接到所述補償晶體管的第一電極;
第二連接電極,將所述補償晶體管的第二電極連接到所述第一導電圖案;以及
第三連接電極,將所述第一導電圖案連接到所述發光元件的所述第二電極,
其中,所述多個像素中的每一個的所述像素電路還包括:
第一陽極連接電極,與所述第一連接電極、所述第二連接電極和所述第三連接電極中的至少一個位于相同的層處,并且連接到所述第一晶體管的第二電極;
第二陽極連接電極,位于所述第一陽極連接電極上,以將所述第一陽極連接電極連接到所述發光元件的所述第一電極;
第二導電圖案,位于所述半導體層中,并且連接到所述第三連接電極;以及
低電位線,與所述第二陽極連接電極位于相同的層處,并且連接到所述第二導電圖案。
9.根據權利要求1所述的顯示設備,
其中,所述發光元件的所述第一電極連接到所述第一晶體管,所述像素電路還包括分別對應于所述多個發光組的多個第二電極,
其中,所述第一電極包括:
第一部分,在第一方向上延伸;以及
第二部分,在與所述第一方向交叉的第二方向上從所述第一部分突出。
10.根據權利要求9所述的顯示設備,其中,所述多個第二電極中的每一個包括:
第一部分,與所述第一電極的所述第一部分鄰近;以及
第二部分,在與所述第一電極的所述第一部分的延伸方向相反的方向上從所述多個第二電極中的每一個的所述第一部分突出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





