[發明專利]用于連接兩個電壓水平的模塊化轉換器

在審

• 申請號: 202110563979.3
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113708623A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: R·達席爾瓦;K·普拉克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 閆昊

1.一種電路，包括：

高側電容器和低側電容器；

初級側，包括第一輸入元件、第一輸出元件、第一參考元件，其中所述初級側被配置為在所述第一輸入元件處接收輸入電壓；以及

次級側，包括第二輸入元件、第二輸出元件和第二參考元件，

其中所述低側電容器被串聯地定位在所述第一參考元件與所述第二參考元件之間，

其中所述高側電容器將所述第一輸出元件耦合至所述第二輸入元件，以及

其中所述次級側被配置為向耦合在所述第二輸出元件與所述第二參考元件之間的負載供電。

2.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一側和所述第二側形成Zeta轉換器。

3.根據權利要求2所述的電路，其中所述第一側包括N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET和電感器，其中：

所述MOSFET的漏極包括第一輸入元件，

所述MOSFET的源極包括第一輸出元件，以及

所述電感器被串聯地定位在所述第一輸出元件與所述第一參考元件之間。

4.根據權利要求2所述的電路，其中所述第二側包括N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、電感器和第三電容器，其中：

所述MOSFET的漏極包括第二輸入元件，

所述MOSFET的源極包括第二參考元件，

所述電感器被串聯地定位在所述第二輸入元件與所述第二輸出元件之間，并且

所述第三電容器被串聯地定位在所述第二輸出元件與所述第二參考元件之間。

5.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一側和所述第二側形成Sepic轉換器。

6.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一側被配置為接收第一驅動信號，并且所述第二側被配置為接收第二驅動信號，其中所述第一驅動信號和所述第一驅動信號被一個或多個處理器控制。

7.根據權利要求6所述的電路，其中所述一個或多個處理器控制所述第一驅動信號和所述第二驅動信號，以使所述電路將功率從所述負載傳輸至所述第一輸入元件。

8.根據權利要求1所述的電路，其中所述第一電容器和所述第二電容器具有近似相同的特性。

9.一種系統，包括：

第一電路，包括：

第一高側電容器和第一低側電容器；

第一初級側，包括第一輸入元件、第一輸出元件、第一參考元件，其中所述初級側被配置為在所述第一輸入元件處接收第一輸入電壓；

第一次級側，包括第二輸入元件、第二輸出元件和第二參考元件，

其中所述第一低側電容器被串聯地定位在所述第一參考元件與所述第二參考元件之間，

其中所述第一高側電容器將所述第一輸出元件耦合至所述第二輸入元件；以及

第二電路，包括：

第二高側電容器和第二低側電容器；

第二初級側，包括第三輸入元件、第三輸出元件、第三參考元件，其中所述第二初級側被配置為在所述第三輸入元件處接收第二輸入電壓；

第二次級側，包括第四輸入元件和第四輸出元件，

其中所述第二低側電容器被串聯地定位在所述第三參考元件至所述第二參考元件之間，

其中所述第二高側電容器將所述第三輸出元件耦合至所述第四輸入元件，

其中所述第二輸出元件被連接至所述第四輸出元件，

其中所述第一電路和所述第二電路被配置為：

其中所述第一輸入元件被連接至所述第三參考元件，并且其中所述第二低側電容器被配置為將所述第二輸入電壓鉗位到所述第一輸入電壓。

10.根據權利要求9所述的系統，其中所述第一參考元件被連接至參考電壓。

11.根據權利要求10所述的系統，其中所述第二低側電容器被配置為將所述第二輸入電壓鉗位到所述第二參考元件與所述參考電壓之間的輸入電壓之和。