[發明專利]一種薄膜電晶體電特性優化方法

在審

• 申請號: 202110563881.8
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113355745A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 林立騰
• 申請（專利權）人: 陜西宇騰電子科技有限公司
• 主分類號: C30B25/16
• 分類號: C30B25/16;C30B29/38;H01L21/66
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 沈穎

1.一種薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：包括以下步驟

S001、基板清洗及潔凈度測量；

S002、采用高低DR結構進行SiNx薄膜沉積并完成薄膜電晶體樣本制作；

采用高低DR結構進行SiNx薄膜沉積具體包括：

S101：采集薄膜電晶體生產制造實際加工參數，實際加工參數包括加工沉積速率DR_i和加工沉積厚度T_i；

S102：將加工沉積厚度T_i分為T_Hi和T_Li兩個厚度，T_i＝T_Hi+T_Li，T_H為采用高沉積速率沉積薄膜的厚度,T_L為采用低沉積速率沉積薄膜的厚度，T_Hi與對應T_Li構成一個薄膜厚度值組合；

S103：由采集的加工沉積速率DR_i及薄膜厚度值組合構建樣本參數組合數據集；

S104：采用樣本參數數據集進行薄膜電晶體樣本的SiNx薄膜沉積制程；

S105：薄膜電晶體樣本制作；

S003、薄膜電晶體樣本的電特性量測；

S004：獲取最優樣本參數組合，即最優的加工沉積速率與薄膜厚度值組合。

2.根據權利要求1所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：所述最優的樣本參數組合為基于低沉積速率DR_L的與基于高沉積速率DR_H的的厚度值組合，

3.根據權利要求2所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：SiNx薄膜沉積制程中，采用高沉積速率沉積薄膜時的加工參數具體為：

Power-1100Watt；Pressure-1050Torr；Temp-370deg.C；Spacing-1400mils；SiH4-90sccm；

采用低沉積速率沉積薄膜時的加工參數具體為：

Power-500Watt；Pressure-1200Torr；Temp-370deg.C；Spacing-1400mils；SiH4-80sccm；

4.根據權利要求1所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：所述基板潔凈度測量包括顆粒物測量和附著力測量；

顆粒物測量合格標準為：N₁+N₃＜30且N₁+N₃+N₅＜100，N₁為1μm顆粒物的數量，N₃為3μm顆粒物的數量，N₅為5μm顆粒物的數量；

附著力測量合格標準為：接觸角度小于8°；

若顆粒物和附著力均合格則基板清洗合格，反之則不合格。

5.根據權利要求1所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：所述步驟S104還包括在進行薄膜電晶體樣本的SiNx薄膜沉積制程后對鍍膜厚度進行量測，量測過程具體為：

S201：將鍍膜后的樣本試片放置于量測平臺；

S202：采用真空吸附方式固定樣本基板；

S203：以S型順序在試片上進行量測點選取和膜厚量測。

6.根據權利要求1所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：所述步驟S004中，薄膜電晶體樣本電特性量測的參數包括開態暗流、關態電流和電子遷移率。

7.根據權利要求6所述的薄膜電晶體電特性優化方法，其特征在于：所述薄膜電晶體樣本的電特性量測包括I-V特性量測、SEM量測和XRD量測。