[發明專利]一種外延生長襯底、半導體外延結構及其制作方法有效
| 申請號： | 202110563851.7 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113328019B | 公開（公告）日： | 2022-08-23 |
| 發明（設計）人： | 林志偉;陳凱軒;蔡建九;卓祥景 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361101 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 生長 襯底 半導體 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種外延生長襯底，其特征在于，包括：具有若干個凸臺的圖形化襯底以及形成于所述圖形化襯底表面的保護層；相鄰的所述凸臺之間具有間隙，且所述保護層填充所述間隙并覆蓋各所述凸臺的頂面；所述保護層用于保護所述生長襯底的圖形在外延生長前不被破壞；
其中，所述凸臺的垂直高度大于所述凸臺的底面寬度；
所述凸臺的垂直高度與所述凸臺的底面寬度比大于等于3；
所述凸臺在所述圖形化襯底上的分布密度大于1000個/㎜2。
2.根據權利要求1所述的外延生長襯底，其特征在于，所述保護層包括疏松的二氧化硅膜層。
3.一種半導體外延結構的制作方法，其特征在于，將權利要求1至2任一項所述的外延生長襯底放置于反應腔內，并去除所述保護層后在所述外延生長襯底表面依次形成第一型半導體層、有源層及第二型半導體層；所述保護層的去除方式包括如下步驟：
步驟S01、調整反應腔內的溫度為第一溫度，并在第一溫度下持續通入保護氣體；
步驟S02、中斷所述保護氣體的通入后，通入蝕刻氣體并持續升高反應腔內的溫度至第二溫度；
步驟S03、維持所述第二溫度并持續通入蝕刻氣體；
步驟S04、中斷所述蝕刻氣體的通入并降低反應腔內的溫度至所述第一溫度，重復執行步驟S01至步驟S03若干次，直至完全去除所述保護層。
4.根據權利要求3所述的半導體外延結構的制作方法，其特征在于，所述保護氣體包括氮氣、氧氣、氬氣及氦氣中的一種或多種。
5.根據權利要求3所述的半導體外延結構的制作方法，其特征在于，所述蝕刻氣體包括H2和HCl的氣體混合物。
6.根據權利要求3所述的半導體外延結構的制作方法，其特征在于，所述第一溫度為1200℃～1250℃，包括端點值；所述第二溫度為1300℃～1350℃，包括端點值；所述步驟S01的持續時間包括20s，所述步驟S02的持續時間包括10s，所述步驟S03的持續時間包括10s。
7.一種半導體外延結構，其特征在于，通過權利要求3至6任一項所述的半導體外延結構的制作方法而獲得。
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