[發(fā)明專利]能夠改進(jìn)ESD保護(hù)回路回沖特性的SiC MOS器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110563716.2
• 申請(qǐng)日: 2021-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN113299641A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉莉;常帥軍;王梓名;馬海倫;鐘銘浩;郭建飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78
• 代理公司: 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種能夠改進(jìn)ESD保護(hù)回路回沖特性的SiCMOS器件，包括N型的SiC襯底(9)，在該SiC襯底(9)的上面設(shè)有N型的SiC外延區(qū)(8)，構(gòu)成外延片，其特征在于，在該SiC外延區(qū)(8)的上面設(shè)有相互間隔的源極P型區(qū)(6)和漏極P型區(qū)(7)，在該漏極P型區(qū)(7)的上面設(shè)有第一nMOSFET(MN1)，在該源極P型區(qū)(6)的上面設(shè)有第二nMOSFET(MN2)；

該第一nMOSFET(MN1)包括：設(shè)在該源極P型區(qū)(6)上面的漏極N⁺區(qū)(1)和N⁺/P⁺區(qū)(2)，在該漏極N⁺區(qū)(1)與N⁺/P⁺區(qū)(2)之間的上面設(shè)有第一柵極氧化層(10)，在該漏極N⁺區(qū)(1)和N⁺/P⁺區(qū)(2)的上面分別設(shè)有接觸電極；在該第一柵極氧化層(10)的上面設(shè)有柵電極；

該第二nMOSFET(MN2)包括：依次排列的源極第一N⁺區(qū)(3)、源極第二N⁺區(qū)(4)和源極P⁺區(qū)(5)，在該源極第一N⁺區(qū)(3)與源極第二N⁺區(qū)(4)之間的的上面設(shè)有第二柵極氧化層(11)，在該源極第一N⁺區(qū)(3)、源極第二N⁺區(qū)(4)和源極P⁺區(qū)(5)的上面分別設(shè)有接觸電極；在該第二柵極氧化層(11)的上面設(shè)有柵電極；

在所述的漏極N⁺區(qū)(1)上面的接觸電極上設(shè)有漏極引線(D)；

所述的第一柵極氧化層(10)上面的柵電極與該源極第一N⁺區(qū)(3)上面的接觸電極通過(guò)第一互連電極(12)互連，并設(shè)有柵極引出線(G)；

所述的N⁺/P⁺區(qū)(2)、源極第二N⁺區(qū)(4)和源極P⁺區(qū)(5)上面的接觸電極，以及第二柵極氧化層(11)上面的柵電極均通過(guò)第二互連電極(13)互連，并設(shè)有源極引出線(S)。

2.權(quán)利要求1所述的能夠改進(jìn)ESD保護(hù)回路回沖特性的SiCMOS器件，其特征在于，所述的SiC外延區(qū)(8)為,濃度5e+15cm^-3，該N型的SiC襯底(9)為濃度為5e+18cm^-3。