[發明專利]一種導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法在審
| 申請號： | 202110562834.1 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113278925A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發明（設計）人： | 焦震鈞 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學（深圳） |
| 主分類號： | C23C14/18 | 分類號： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C22F1/10 |
| 代理公司： | 深圳市添源知識產權代理事務所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 于標 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子 陶瓷材料 表面 ni 薄膜 電化學 制備 方法 | ||
1.一種導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于，其包括如下步驟：
步驟S1，制備目標陶瓷材料的單晶基片；
步驟S2，在步驟S1得到的單晶基片的表面制備圖案化Ni金屬源作為陽極；
步驟S3，在單晶基片的背面制備陰極；
步驟S4，利用導線將單晶基片兩面的電極分別與外部電子負載和控制單元連接；
步驟S5，在還原氣氛下、溫度為700-900℃條件下對單晶基片兩面的電極進行極化放電，得到導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜。
2.根據權利要求1所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S2中，采用磁控濺射或絲網印刷制備圖案化Ni金屬源作為陽極。
3.根據權利要求1所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S3中，在單晶基片的背面利用絲網印刷鉑漿的方法制備陰極。
4.根據權利要求3所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S3還包括對基片背面的陰極進行打磨消除處理。
5.根據權利要求3所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S5包括：對陽極通氫氣，對陰極通氧氣或者空氣，并通過外界電子負載和金屬絲集流方法對單晶基片兩面的電極進行持續恒壓放電。
6.根據權利要求5所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S5中，鎳電極表面到單晶基片基底的放電電壓為0.5V~0.7V。
7.根據權利要求1~6任意一項所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：步驟S1還包括，對單晶基片的表面進行0.1微米以下粗糙度的鏡面加工。
8.根據權利要求1~6任意一項所述的導氧離子陶瓷材料表面Ni薄膜的電化學制備方法，其特征在于：所述陶瓷材料為氧化釔穩定氧化鋯。
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