[發(fā)明專利]一種SBD低正向飽和專用材料及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110562774.3
• 申請日: 2021-05-24
• 公開（公告）號: CN113299539B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉官超;劉峻成
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市聯(lián)冀電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;H01L29/16;H01L29/872
• 代理公司: 北京市浩東律師事務(wù)所 11499
• 代理人: 張樂中

1.一種SBD低正向飽和專用材料的制備方法，其特征在于：該制備方法具體包括如下步驟：

步驟一：制備硅晶重?fù)揭r底；

步驟二：通過半導(dǎo)體專用設(shè)備外延爐上，在重?fù)诫s硅單晶襯底片正面上以一定溫度和時(shí)間淀積第一層一定厚度和電阻率的高阻外延層，形成外延層1；

步驟三：通過半導(dǎo)體專用設(shè)備外延爐上，在重?fù)诫s硅單晶襯底片正面上以一定溫度和時(shí)間淀積第二層一定厚度和電阻率的高阻外延層，形成外延層2；

步驟四：通過半導(dǎo)體專用設(shè)備外延爐上，在重?fù)诫s硅單晶襯底片正面上以一定溫度和時(shí)間淀積第三層一定厚度和電阻率的高阻外延層，形成外延層3；

步驟五：三層單晶外延層淀積后三層外延的外延片已完成了制造，對制造完成的成品進(jìn)行檢測即可;

所述步驟一中，制備硅晶重?fù)揭r底的具體步驟如下： 步驟1：將坯料通過精磨機(jī)進(jìn)行正面拋光； 步驟2：對拋光后的坯料進(jìn)行清洗； 步驟3：將清洗后的坯料烘干去除水分，得到硅晶重?fù)揭r底；

所述步驟2中，清洗方式為流動溫水沖洗，水溫為30-50℃，水流速度為0.5-0.8m/s；

所述步驟3中，烘干方式為暖風(fēng)烘干，暖風(fēng)溫度為35-45℃，風(fēng)速為3-5m/s；

所述步驟二、步驟三、步驟四中的外延淀積步驟均為：裝片、一次升溫、恒溫、烘烤、二次升溫、HCL腐蝕、趕氣、外延淀積、降溫取片，其中恒溫溫度為820-900℃，烘烤時(shí)間為6min，升溫溫度為1200℃；

所述步驟二、步驟三、步驟四中三次淀積時(shí)間分別為h1、h2、h3，其中h1h2h3；

所述外延層1為電阻率最低的區(qū)域電阻率為α1、厚度為d1，外延層2為電阻率次之 的區(qū)域電阻率為α2、厚度為d2，外延層3為電阻率最高的區(qū)域電阻率為α3、厚度為d3，其中（α1*d1+α2*d2+α3*d3）/（d1+d2+d3） α，其中α為常規(guī)硅晶外延層電阻率，且其厚度為d，α1α2α3，d1d2d3。

2.一種SBD低正向飽和專用材料，其特征在于：該SBD低正向飽和專用材料由權(quán)利要求1的制備方法制備而成。