[發明專利]一種半導體電遷移測試電路及測試方法在審
| 申請號： | 202110562617.2 | 申請日： | 2021-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN113030685A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發明（設計）人： | 田文星;吳啟熙;宋佳華 | 申請（專利權）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大興區經濟技術開發*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 遷移 測試 電路 方法 | ||
1.一種半導體電遷移測試電路，其特征在于，至少包括，
若干個金屬測試線；
多級電流源模塊，包括若干個晶體管，其設置在所述金屬測試線的一側，且連接所述金屬測試線的一端；
若干個測試點，包括至少四個焊盤，其設置在所述多級電流源模塊與所述金屬測試線的兩端。
2.根據權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述多級電流源模塊為多路比例電流源，用于提供多組靜態電流，且控制多路電流按照一定比例進行輸出。
3.根據權利要求1所述的測試電路，其特征在于，所述多級電流源模塊包括若干個電阻，所述若干個電阻包括端電阻，所述端電阻的一端連接電源電壓的輸出端，另一端連接所述晶體管。
4.根據權利要求3所述的測試電路，其特征在于，所述端電阻的數量為1個。
5.根據權利要求3所述的測試電路，其特征在于，所述電阻的輸入端連接所述晶體管的一端，所述電阻的輸出端連接接地端，若干個所述電阻分別連接各個所述晶體管，所述電阻串聯所述晶體管形成多級放大電路。
6.一種半導體電遷移測試方法，其特征在于，使用權利要求1-5任一所述的測試電路，其至少包括，
將若干個金屬測試線放置在所述測試點上，并在所述多路比例電流源的一端施加總電流，形成所述多路比例電流源的輸出電流，獲得相對應所述金屬測試線的輸入電流；
檢測每個所述金屬測試線兩端的電阻值；
根據所述輸入電流和所述電阻值，獲得所述金屬測試線的電遷移。
7.根據權利要求6所述的一種半導體電遷移測試方法，其特征在于，所述電遷移測試方法還包括：預設若干相同工藝下的不同線寬的所述金屬測試線，使得所述金屬測試線的線寬及所述多路比例電流源的輸入電阻符合以下公式：
；
其中，W1~Wn為對應所述金屬測試線的寬度， Re1～Ren為所述多路比例電流源中對應晶體管的發射極電阻。
8.根據權利要求6所述的一種半導體電遷移測試方法，其特征在于，檢測每個所述金屬測試線兩端的電阻值包括：
預設金屬測試線兩端的閾值；
通過所述焊盤，對所述焊盤相對應的所述金屬測試線兩端的電阻值進行實時監控，記錄所述金屬測試線的電遷移情況；
判斷所述金屬測試線的電阻值是否符合閾值，若所述金屬測試線的電阻值符合閾值，則所述金屬測試線失效，若所述金屬測試線的電阻值不符合閾值，則所述金屬測試線有效。
9.根據權利要求6所述的一種半導體電遷移測試方法，其特征在于，所述多路比例電流源的輸入電阻及所述金屬測試線的輸入電流對應的符合以下公式：
其中，I1~In為所述多路比例電流源的各路輸出電流及相對應所述金屬測試線的輸入電流，Re，Re1～Ren為所述多路比例電流源中對應晶體管的發射極電阻，IR為所述多路比例電流源的輸入電流。
10.根據權利要求7所述的一種半導體電遷移測試方法，其特征在于，所述金屬測試線的線寬及所述金屬測試線的輸入電流在各個所述金屬測試線的電流密度相同的條件下符合以下公式：
其中，I1~In為對應所述金屬測試線的輸入電流，W1~Wn為對應所述金屬測試線的寬度，Jstress為所有所述金屬測試線的測試電流密度。
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