[發明專利]一種石英反應腔的清洗方法有效
| 申請號： | 202110560081.0 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113231407B | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 張哲;許正賢;劉波 | 申請（專利權）人： | 廣州粵芯半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | B08B9/023 | 分類號： | B08B9/023;B08B9/027;B08B9/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知識產權代理有限公司 31295 | 代理人： | 羅磊 |
| 地址： | 510000 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石英 反應 清洗 方法 | ||
1.一種石英反應腔的清洗方法，用于清洗560℃下對晶圓表面進行了磷摻雜多晶硅薄膜工藝的高溫擴散爐，其特征在于，包括以下步驟：
以預設數量的保溫石英封堵所述石英反應腔的爐口，所述保溫石英的數量少于20片，用以將所述石英反應腔內的溫度控制目標溫度，所述目標溫度為400℃附近；以及
以4個預設時間段的管控方式通過蝕刻氣體對所述石英反應腔內的多晶硅殘留進行清洗。
2.如權利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述保溫石英的數量為9片～15片。
3.如權利要求1所述的清洗方法，其特征在于，以分段式時間管控方式對所述石英反應腔進行清洗包括：
根據第一預設時間對所述石英反應腔的爐口處的氣管的管壁進行清洗；
根據第二預設時間對所述石英反應腔的內管的部分長度的內壁進行清洗；
根據第三預設時間對所述石英反應腔的內管的部分外壁以及剩余部分的內壁進行清洗，還對外管正對爐口的部分內壁進行清洗；以及
根據第四預設時間對所述石英反應腔的外管的剩余部分進行清洗，以完成對石英反應腔的清洗。
4.如權利要求3所述的清洗方法，其特征在于，清洗時的蝕刻氣體包括ClF3和N2的混合氣體。
5.如權利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在所述第一預設時間、第二預設時間和第四預設時間的清洗時，ClF3和N2的體積比為1/1，且ClF3的通入流量小于1標準升每分鐘，反應壓力小于1torr。
6.如權利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在所述第三預設時間的清洗時，ClF3和N2的體積比為1/1，且ClF3的通入流量大于1標準升每分鐘，反應壓力為1torr。
7.如權利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第一預設時間為15min～29min。
8.如權利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第二預設時間為35min～45min。
9.如權利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第三預設時間為大于100min。
10.如權利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第四預設時間為50min～70min。
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