[發(fā)明專利]基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110560066.6
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113303799B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高旭;瞿旻;毛亮亮;朱祥;陳功;何裕源
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微創(chuàng)醫(yī)療機(jī)器人（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號: A61B5/22
• 分類號: A61B5/22;H03K17/90;H03K17/95
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 許靜

1.一種基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，包括：主體部、非直接接觸式的開關(guān)組件、開關(guān)控制電路以及壓力檢測組件；

所述壓力檢測組件設(shè)置于所述主體部，所述主體部的一部分用于插入預(yù)定對象體內(nèi)，所述壓力檢測組件用于檢測所述主體部與所述預(yù)定對象的接觸壓力；所述開關(guān)組件被配置為在非直接接觸式操作下向所述開關(guān)控制電路發(fā)送控制信號，所述開關(guān)控制電路在收到的所述控制信號滿足預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)預(yù)設(shè)邏輯控制所述壓力檢測組件開啟或關(guān)閉；

所述開關(guān)控制電路包括導(dǎo)通切換單元、自鎖單元和控制單元，所述導(dǎo)通切換單元的輸入端用于連接電源，所述導(dǎo)通切換單元的輸出端分別與所述控制單元和所述壓力檢測組件連接，所述導(dǎo)通切換單元的控制端與所述開關(guān)組件的輸出端連接；所述自鎖單元的輸入端與所述開關(guān)組件的輸出端連接，所述自鎖單元的輸出端接地，所述自鎖單元的控制端與所述控制單元的第一端連接，所述控制單元的第二端與所述開關(guān)組件的輸出端連接；

所述預(yù)設(shè)邏輯包括：

在所述導(dǎo)通切換單元處于斷開狀態(tài)時(shí)，所述導(dǎo)通切換單元在接收到來自所述開關(guān)組件的滿足預(yù)設(shè)條件的控制信號后導(dǎo)通，所述控制單元通過其第一端向所述自鎖單元的控制端發(fā)送第一信號，驅(qū)動(dòng)所述自鎖單元導(dǎo)通，使所述導(dǎo)通切換單元被自鎖于導(dǎo)通狀態(tài)，所述壓力檢測組件開啟；

在所述導(dǎo)通切換單元處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，所述控制單元的第二端在接收到來自所述開關(guān)組件的滿足預(yù)設(shè)條件的控制信號后，所述控制單元通過其第一端向所述自鎖單元的控制端發(fā)送第二信號，驅(qū)動(dòng)所述自鎖單元斷開，使所述導(dǎo)通切換單元被解除自鎖，所述導(dǎo)通切換單元斷開，所述壓力檢測組件關(guān)閉；

所述開關(guān)組件包括磁性傳感器及與所述磁性傳感器相適配的磁性件；或者，所述開關(guān)組件包括振動(dòng)傳感器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述非直接接觸式操作包括所述磁性件與所述磁性傳感器的相對位置靠近，至所述磁性傳感器被所述磁性件的磁場所觸發(fā)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述磁性傳感器包括霍爾傳感器或干簧管。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述磁性傳感器被配置為：未被所述磁性件的磁場所觸發(fā)時(shí)，處于高阻狀態(tài)，被所述磁性件的磁場所觸發(fā)時(shí)，處于低阻狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述非直接接觸式操作包括所述振動(dòng)傳感器被振動(dòng)而觸發(fā)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)通切換單元包括PMOS管，所述PMOS管的源極被配置為所述導(dǎo)通切換單元的輸入端，所述PMOS管的漏極被配置為所述導(dǎo)通切換單元的輸出端，所述PMOS管的柵極被配置為所述導(dǎo)通切換單元的控制端；所述自鎖單元包括NMOS管，所述NMOS管的漏極被配置為所述自鎖單元的輸入端，所述NMOS管的源極被配置為所述自鎖單元的輸出端，所述NMOS管的柵極被配置為所述自鎖單元的控制端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述PMOS管的柵極通過第一電阻與所述開關(guān)組件的輸出端連接；所述PMOS管的源極通過第二電阻和第一電容與所述PMOS管的柵極連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述控制信號包括連續(xù)的n個(gè)脈沖信號，且相鄰的兩個(gè)所述脈沖信號之間的間隔均不超過預(yù)設(shè)閾值；其中n為不小于2的自然數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于非接觸式開關(guān)的盆底檢測設(shè)備，其特征在于，所述主體部包括沿軸向依次連接的頭部及柄部，所述頭部用于插入預(yù)定對象體內(nèi)，所述柄部用于部分插入所述預(yù)定對象體內(nèi)，所述開關(guān)組件包括傳感器部分，所述傳感器部分設(shè)置于所述頭部。