[發明專利]3D存儲器件的制造方法及3D存儲器件在審
| 申請號： | 202110559965.4 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113629059A | 公開（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發明（設計）人： | 李磊;蒲浩;李拓;許宗珂 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11524 | 分類號： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;楊思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 器件 制造 方法 | ||
1.一種3D存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：
形成位于所述襯底上方的疊層結構；
形成貫穿所述疊層結構的多個溝道柱；以及
形成貫穿所述疊層結構的多個假溝道柱，各個所述假溝道柱的至少一部分為氧化層，
其中，采用濕法氧化工藝氧化多晶硅層以形成所述氧化層。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述多個假溝道柱的方法包括：
形成貫穿所述疊層結構的多個開孔；
形成位于所述多個開孔內的所述多晶硅層；以及
將所述多晶硅層氧化以形成所述氧化層，從而形成各個所述假溝道柱的至少一部分。
3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述多晶硅層形成于所述開孔的暴露表面。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述將所述多晶硅層氧化以形成所述氧化層之后，所述方法還包括：填充所述開孔，形成覆蓋所述氧化層的氧化物。
5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用緩蝕劑控制增強法ICE生長法形成所述氧化物。
6.根據權利要求3至5任一項所述的制造方法，其特征在于，所述假溝道柱的側壁厚度不小于10納米。
7.一種3D存儲器件，其特征在于，包括：
襯底；
位于所述襯底上方的疊層結構，所述疊層結構包括交替堆疊的多個柵極導體和多個層間絕緣層；
貫穿所述疊層結構的多個溝道柱；以及
貫穿所述疊層結構的多個假溝道柱，各個所述假溝道柱的至少一部分為氧化層，
其中，所述氧化層采用濕法氧化工藝氧化多晶硅層而形成。
8.根據權利要求7所述的3D存儲器件，其特征在于，所述氧化層形成所述多個假溝道柱的側壁。
9.根據權利要求8所述的3D存儲器件，其特征在于，所述假溝道柱還包括：覆蓋所述氧化層的氧化物。
10.根據權利要求8或9所述的3D存儲器件，其特征在于，所述假溝道柱的側壁厚度不小于10納米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
