[發明專利]一種半導體器件封裝用吸嘴及封裝系統、封裝方法

在審

• 申請號: 202110559933.4
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113327882A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 張姝;肖姝;姚耀;丁嘉煒
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/603;B08B5/04
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226
• 代理人: 李明;趙吉陽

1.一種半導體器件封裝用吸嘴，其特征在于，所述吸嘴包括吸取部以及與所述吸取部相連的連接部；

所述連接部設置有氣路通孔；

所述吸取部設置有第一吸取通孔以及環繞所述第一吸取通孔設置的多個第二吸取通孔，所述多個第二吸取通孔和所述第一吸取通孔均與所述氣路通孔連通，并且所述第二吸取通孔的尺寸小于所述第一吸取通孔的尺寸。

2.根據權利要求1所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔背離所述連接部的一側橫截面尺寸大于其朝向所述連接部的一側橫截面尺寸。

3.根據權利要求2所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔的橫截面尺寸，自所述第二吸取通孔背離所述連接部的一側向朝向所述連接部的一側依次減小。

4.根據權利要求3所述的吸嘴，其特征在于，所述第二吸取通孔的縱截面呈梯形。

5.根據權利要求1至4任一項所述的吸嘴，其特征在于，所述吸取部背離所述連接部的表面為內凹面。

6.根據權利要求5所述的吸嘴，其特征在于，所述內凹面的縱截面呈弧形。

7.根據權利要求5所述的吸嘴，其特征在于，所述內凹面的縱截面呈倒V形。

8.一種半導體器件的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法采用權利要求1至7任一項所述的吸嘴，所述封裝方法包括：

利用所述吸嘴從片源中吸取出背面預先覆蓋合金層的待封裝芯片，并通過所述吸嘴中的所述第一吸取通孔和所述多個第二吸取通孔將所述芯片表面的異物顆粒吸走；

將所述芯片背面放置在載片臺上，并利用施壓裝置通過所述吸嘴作用于所述芯片，以使得所述合金層與所述載片臺表面結合形成合金粘結層；以及，

在施壓過程中，繼續利用所述第一吸取通孔和所述多個第二吸取通孔將所述芯片表面的殘留異物顆粒吸走。

9.根據權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，所述吸取部背離所述連接部的表面為內凹面；

所述利用施壓裝置通過所述吸嘴作用于所述芯片，包括：

通過所述施壓裝置持續向所述吸嘴施壓，使得所述內凹面從四周逐步擴張至完全與所述芯片表面接觸；

所述在施壓過程中，繼續利用所述第一吸取通孔和所述多個第二吸取通孔將所述芯片表面的殘留異物顆粒吸走，包括：

在所述內凹面完全與所述芯片表面接觸之前，利用所述第一吸取通孔和所述多個第二吸取通孔將所述芯片表面的殘留異物顆粒吸走。

10.一種半導體器件封裝系統，其特征在于，所述封裝系統包括權利要求1至7任一項所述的吸嘴，所述封裝系統還包括氣管，所述氣管與所述吸嘴的氣路通孔相連通。