[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202110559569.1
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113707646A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 內田慎一;中柴康隆;桑原慎一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種半導體器件，包括：

第一基板；

多層布線層，形成在所述第一基板上；

第一電感器，在平面圖中被形成為所述多層布線層上的曲折形狀；以及

第二電感器，在平面圖中被形成為所述多層布線層上的曲折形狀，并且被布置為在平面圖中與所述第一電感器靠近且與所述第一電感器不重疊，

其中變壓器由所述第一電感器和所述第二電感器來構造；以及

在平面圖中，所述第一電感器和所述第二電感器沿著第一方向延伸，所述第一基板的一側在所述第一方向上延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在平面圖中，構造所述第一電感器和所述第二電感器的相應布線被交替地以90度和270度彎曲的同時在所述第一方向上延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在平面圖中，構造所述第一電感器和所述第二電感器的相應布線被交替地彎曲成半圓形狀的同時在所述第一方向上延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中在平面圖中，構造所述第一電感器和所述第二電感器的相應布線被交替地以90度彎曲兩次并且以270度彎曲兩次的同時在所述第一方向上延伸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一電感器和所述第二電感器被形成在相互不同的布線層中。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中在平面圖中，構造所述第一電感器和所述第二電感器的相應布線被交替地以90度彎曲兩次并且以270度彎曲兩次的同時在所述第一方向上延伸。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

所述第一基板；

晶體管；

所述晶體管的元件分離件；以及

分離部，被配置為使得絕緣體被嵌入在與所述元件分離件的溝槽相比更深的溝槽中，

其中所述分離部的寬度被配置為變為大于以下項的寬度：構造所述第一電感器的布線以及構造所述第二電感器的布線。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中在平面圖中，構造所述第一電感器和所述第二電感器的相應布線被交替地以90度彎曲兩次并且以270度彎曲兩次的同時在所述第一方向上延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一電路，被連接到所述第一電感器并且被形成在所述第一基板上，

其中所述第一電感器被布置為與所述第二電感器相比更靠近所述第一電路。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中在平面圖中，所述第一電感器和所述第二電感器被布置為靠近所述第一基板的所述一側，并且所述第二電感器被布置為比所述第一電感器更靠近所述一側。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括：

第二基板；

第二板，形成在所述第二基板上；以及

布線，連接所述第一基板上的所述第二電感器和所述第二電路。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括形成在所述第一基板上的鍵合焊盤，

其中所述第二電感器連接到所述鍵合焊盤，并且

所述布線是連接到所述鍵合焊盤的鍵合線。

13.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中所述第一電路是傳輸電路，并且包括連接到所述第一電感器的傳輸側驅動器電路。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述第一電感器具有：連接到所述傳輸側驅動器電路的一端；以及連接到電源布線或接地布線的另一端。

15.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第一電感器和所述第二電感器形成在相互不同的布線層中。