[發(fā)明專利]一種自插層釩基二維納米片及其制備方法和應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110559391.0
• 申請(qǐng)日: 2021-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN113353980A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王振興;姚雨雨;何軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國家納米科學(xué)中心
• 主分類號(hào): C01G31/00
• 分類號(hào): C01G31/00;H01L29/24;B82Y40/00
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 盛大文

1.一種自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，包括：以五氧化二釩、硫粉和硒粉為原料，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，制備所述自插層釩基十五硫硒化八釩納米片；所述五氧化二釩、所述硫粉和所述硒粉的質(zhì)量比為1:9:3～9。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，所述五氧化二釩、所述硫粉和所述硒粉的質(zhì)量比為1:9:3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，包括：將所述硫粉和所述硒粉置于雙溫反應(yīng)區(qū)的上游，將所述五氧化二釩置于所述雙溫反應(yīng)區(qū)的下游，然后加熱，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，所述下游的加熱溫度為600～700℃，優(yōu)選為640～670℃；優(yōu)選的，所述上游的加熱溫度為170～300℃，優(yōu)選為240～260℃；更優(yōu)選的，所述反應(yīng)的時(shí)間為20～45min，優(yōu)選為30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，反應(yīng)過程中通入氬氣和氫氣；優(yōu)選的，所述氬氣的流量為80～120sccm，優(yōu)選為100sccm；所述氫氣的流量為5～20sccm，優(yōu)選為10sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，所述反應(yīng)在大氣壓強(qiáng)條件下進(jìn)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，所述自插層釩基十五硫硒化八釩納米片的生長基底為藍(lán)寶石基底；和/或，還包括在進(jìn)行加熱前，使用氬氣對(duì)所述雙溫反應(yīng)區(qū)進(jìn)行清洗。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的自插層釩基二維納米片的制備方法，其特征在于，包括：將所述五氧化二釩置于反應(yīng)容器內(nèi)，然后將藍(lán)寶石基底扣在所述反應(yīng)容器上，再將所述反應(yīng)容器放置于雙溫反應(yīng)區(qū)的下游；將所述硫粉和硒粉進(jìn)行混合，放于所述雙溫反應(yīng)區(qū)的上游；然后加熱進(jìn)行化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，冷卻。

9.權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述自插層釩基二維納米片的制備方法制得的自插層釩基十五硫硒化八釩納米片。

10.權(quán)利要求9所述自插層釩基二維納米片的應(yīng)用，其特征在于，包括在場效應(yīng)晶體管或自旋電子器件中的應(yīng)用。