[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110559128.1
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113745312A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 曾根田真也;原田健司;大塚翔瑠
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739;H01L27/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其在共通的半導體基板形成了晶體管和二極管，

其中，所述半導體基板具有：

晶體管區域，其形成有所述晶體管；以及

二極管區域，其形成有所述二極管，

所述晶體管區域具有：

第1導電型的第1半導體層，其設置于所述半導體基板的第2主面側；

第2導電型的第2半導體層，其設置于所述第1半導體層之上；

第1導電型的第3半導體層，其與所述第2半導體層相比設置于所述半導體基板的第1主面側；

第2導電型的第4半導體層，其設置于所述第3半導體層之上；

第2電極，其與所述第4半導體層電連接；以及

第1電極，其與所述第1半導體層電連接，

所述二極管區域具有：

第2導電型的第5半導體層，其設置于所述半導體基板的所述第2主面側；

所述第2半導體層，其設置于所述第5半導體層之上；

所述第3半導體層，其與所述第2半導體層相比設置于所述半導體基板的所述第1主面側；

第1導電型的第6半導體層，其設置于所述第3半導體層之上；

所述第2電極，其與所述第6半導體層電連接；

所述第1電極，其與所述第5半導體層電連接；以及

壽命控制層，其到達比從所述第1主面側起的所述第3半導體層的厚度方向端部和從所述第2主面側起的所述第5半導體層的厚度方向端部之間的所述第2半導體層的中間位置深的位置，由晶體缺陷層構成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

就所述壽命控制層而言，形成晶體缺陷的密度峰值的深度即晶體缺陷密度最大深度設定于比所述中間位置深的位置。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述壽命控制層設定為比所述中間位置深且沒有到達所述第5半導體層的深度。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述壽命控制層具有伸出部，該伸出部跨過所述二極管區域和所述晶體管區域的邊界而一部分從所述二極管區域伸出到所述晶體管區域。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體基板至少在設置有所述二極管區域及所述晶體管區域的區域的周圍具有末端區域，

所述壽命控制層具有伸出部，該伸出部跨過所述二極管區域和所述末端區域的邊界而一部分從所述二極管區域伸出到所述末端區域。

6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其中，

在將從所述第3半導體層的所述厚度方向端部至所述中間位置為止的厚度設為t1，將從所述中間位置至所述晶體缺陷密度最大深度為止的厚度設為t2的情況下，

所述伸出部從所述邊界起的平面方向的伸出寬度w設定為w((3×t1)-t2)/2。