[發明專利]一種變壓器封裝結構的制備方法及封裝結構有效
| 申請號: | 202110558489.4 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113314324B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發明(設計)人: | 張文斌 | 申請(專利權)人: | 廈門通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01F41/00 | 分類號: | H01F41/00;H01F41/02;H01F41/04;H01F41/12;H01F27/02;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/32;H01L21/56;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;趙吉陽 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市自由貿易試驗區廈門片*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 變壓器 封裝 結構 制備 方法 | ||
1.一種變壓器封裝結構的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
提供晶圓;
在所述晶圓的第一表面形成鐵芯;
通過一次構圖工藝在所述晶圓的第一表面形成絕緣設置的初級線圈和次級線圈;其中,
所述初級線圈和所述次級線圈同層設置,所述初級線圈繞設在所述鐵芯的初級側,所述次級線圈繞設在所述鐵芯的次級側;其中,
所述制備方法具體包括:
在所述晶圓的第一表面形成第一金屬層;
在所述晶圓的第一表面以及所述第一金屬層上形成鈍化層;
圖形化所述鈍化層,在與所述第一金屬層兩端對應位置處形成第一開窗,在所述第一開窗處形成第一金屬柱;
通過一次電鍍工藝,在所述鈍化層上分別形成繞設在對應的所述第一金屬柱外側的所述初級線圈和所述次級線圈;
在所述圖形化后的鈍化層上形成絕緣層,所述絕緣層裸露出所述第一金屬柱;
在所述絕緣層上形成第二金屬層,所述第二金屬層與所述第一金屬柱電連接;
所述第一金屬層、所述第一金屬柱以及所述第二金屬層組成所述鐵芯。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述絕緣層包覆所述初級線圈和所述次級線圈,所述制備方法還包括:
圖形化所述絕緣層,在對應所述初級線圈和所述次級線圈的部分位置處形成第二開窗;
在所述第二開窗處形成第二金屬柱;
在所述圖形化后的絕緣層上形成保護層,圖形化所述保護層,在對應所述第二金屬柱的位置處形成第三開窗;
在所述第三開窗處形成焊球。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述初級線圈的匝數范圍為1~30;和/或,所述次級線圈的匝數范圍為1~30。
4.一種變壓器封裝結構,其特征在于,采用權利要求1至3任一項所述的制備方法制備形成,所述封裝結構包括晶圓、鐵芯、初級線圈和次級線圈;
所述鐵芯設置在所述晶圓的第一表面;
所述初級線圈和所述次級線圈絕緣設置于所述晶圓的第一表面,且所述初級線圈和所述次級線圈同層設置,所述初級線圈繞設在所述鐵芯的初級側,所述次級線圈繞設在所述鐵芯的次級側;
所述封裝結構還包括鈍化層和絕緣層,所述鐵芯包括相互電連接的第一金屬層、第一金屬柱及第二金屬層;
所述鈍化層夾設在所述初級線圈、所述次級線圈與所述晶圓的第一表面之間;
所述第一金屬層夾設在所述晶圓的第一表面和所述鈍化層之間;
所述鈍化層在所述第一金屬層兩端對應位置處設置有第一開窗,所述第一開窗處設置有所述第一金屬柱;
所述絕緣層設置于所述鈍化層之上,所述絕緣層裸露出所述第一金屬柱,所述第二金屬層設置于所述絕緣層上。
5.根據權利要求4所述的變壓器封裝結構,其特征在于,所述初級線圈和所述次級線圈繞設在對應的所述第一金屬柱外側。
6.根據權利要求4所述的變壓器封裝結構,其特征在于,所述絕緣層包覆所述初級線圈和所述次級線圈;
所述絕緣層在對應所述初級線圈和所述次級線圈的部分位置處設置有第二開窗,所述第二開窗處設置有第二金屬柱,所述第二金屬柱與對應的所述初級線圈和所述次級線圈電連接。
7.根據權利要求6所述的變壓器封裝結構,其特征在于,所述封裝結構還包括保護層,
所述保護層設置于所述絕緣層上,所述保護層在對應所述第二金屬柱的位置設置有第三開窗,所述第三開窗設置有焊球,所述焊球與所述第二金屬柱電連接。
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