[發明專利]基于隱埋AlTiO3 有效
| 申請號： | 202110558469.7 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113517355B | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發明（設計）人： | 王小周;李京波;趙艷 | 申請（專利權）人： | 浙江芯科半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李園園 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 altio base sub | ||
1.一種基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，包括：自下而上依次層疊設置的歐姆接觸電極(1)、N型SiC襯底層(2)、N型SiC外延層(3)和肖特基接觸電極(4)，其中，
所述N型SiC外延層(3)內設置有若干隱埋終端保護區(5)，所述隱埋終端保護區(5)為封閉環結構并依次繞設于所述肖特基接觸電極(4)的外圍，若干所述隱埋終端保護區(5)自上而下呈階梯狀設置，且其與所述N型SiC外延層(3)兩側面之間的間距自上而下依次減小；
所述隱埋終端保護區(5)的材料為AlTiO3。
2.根據權利要求1所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，頂層所述隱埋終端保護區(5)的上表面與所述N型SiC外延層(3)上表面的間距小于等于0.5μm。
3.根據權利要求1所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，若干所述隱埋終端保護區(5)之間的間距，自上而下呈增大趨勢。
4.根據權利要求3所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，若干所述隱埋終端保護區(5)之間的間距，自上而下以0.1μm的步長遞增。
5.根據權利要求1所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N型SiC外延層(3)內間隔設置有若干P型離子注入區(6)，若干所述P型離子注入區(6)位于所述肖特基接觸電極(4)的下方，且若干所述P型離子注入區(6)的上表面與所述肖特基接觸電極(4)接觸。
6.根據權利要求1所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，還包括鈍化層(7)，所述鈍化層(7)設置所述N型SiC外延層(3)上未被所述肖特基接觸電極(4)覆蓋的區域。
7.根據權利要求6所述的基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管，其特征在于，還包括保護層(8)，所述保護層(8)設置在所述鈍化層(7)上。
8.一種基于隱埋AlTiO3終端結構的4H-SiC肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括：
S1：在4H-SiC襯底上形成第一4H-SiC外延層；
S2：利用等離子體干法刻蝕對所述第一4H-SiC外延層刻蝕，形成4H-SiC溝槽區；
S3：利用化學氣相淀積技術在所述4H-SiC溝槽區內，淀積形成一個隱埋終端保護區；
S4：利用化學氣相淀積技術在器件表面，淀積形成第二4H-SiC外延層；
S5：重復所述S2-S4，形成若干隱埋終端保護區；
S6：利用離子注入，在4H-SiC外延層內形成P型離子注入區；
S7：在所述4H-SiC外延層表面通過化學氣相淀積，形成鈍化層；
S8：刻蝕部分所述鈍化層直到漏出所述4H-SiC外延層，在漏出的所述4H-SiC外延層上制備肖特基接觸電極；
S9：在所述4H-SiC襯底的底面制備歐姆接觸電極；
S10：在所述鈍化層上制備形成保護層；
其中，所述隱埋終端保護區為封閉環結構并依次繞設于所述肖特基接觸電極的外圍，若干所述隱埋終端保護區自上而下呈階梯狀設置，且其與所述4H-SiC外延層兩側面之間的間距自上而下依次減小，所述隱埋終端保護區的材料為AlTiO3。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，頂層所述隱埋終端保護區的上表面與所述4H-SiC外延層上表面的間距小于等于0.5μm，若干所述隱埋終端保護區之間的間距，自上而下呈增大趨勢。
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