[發(fā)明專利]一種基于電場調(diào)控的磁性異質結構及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110558170.1 | 申請日： | 2021-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113380945B | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金立川;徐嘉鵬;徐鑫鍇;張懷武;唐曉莉;向全軍;鐘智勇 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L43/10 | 分類號： | H01L43/10;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 吳姍霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電場 調(diào)控 磁性 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于電場調(diào)控的磁性異質結，其特征在于，所述磁性異質結包括基片，形成于基片之上的底電極層，形成于底電極層之上的異質結，以及形成于異質結之上的頂電極層；
所述異質結為磁性薄膜/MXene異質結，所述磁性薄膜與MXene薄膜上下層疊設置；
所述磁性薄膜為磁性絕緣體薄膜、鐵磁合金薄膜或反鐵磁薄膜；其中，所述磁性絕緣體薄膜為釔鐵石榴石、銩鐵石榴石、鉍摻雜的銩鐵石榴石、六角鐵氧體、尖晶石鐵氧體薄膜；所述鐵磁合金薄膜為坡莫合金、鈷鐵硼、Heusler合金；所述反鐵磁薄膜為氧化亞鎳、鐵酸鉍、銥錳薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于電場調(diào)控的磁性異質結，其特征在于，所述MXene薄膜為過渡金屬碳化物薄膜、氮化物薄膜或碳氮化物薄膜。
3.根據(jù)權利要求2所述的基于電場調(diào)控的磁性異質結，其特征在于，所述過渡金屬碳化物薄膜為Ti3C2TX、Ti2CTX；所述過渡金屬氮化物薄膜為Ti2NTX、Ti3N2TX；所述過渡金屬碳氮化物為Ti3CNTX。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于電場調(diào)控的磁性異質結，其特征在于，所述底電極層的厚度為2～10nm，頂電極層的厚度為100～400nm，磁性薄膜的厚度為200～400nm，MXene薄膜的厚度為200～400nm。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于電場調(diào)控的磁性異質結，其特征在于，通過在頂電極層上施加偏壓，使電場強度在0.02V/nm～0.5V/nm范圍內(nèi)。
6.一種基于權利要求1所述電場調(diào)控的磁性異質結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、清洗基片，在基片上生長底電極層；
步驟2、在步驟1得到的底電極層上生長磁性薄膜；
步驟3、通過酸腐蝕法獲得含有二維MXene的混合液體；
步驟4、在步驟2得到的磁性薄膜上生長MXene薄膜；
步驟5、在步驟4得到的復合膜結構上生長頂電極層，完成器件的制備。
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