[發明專利]一種射頻收發前端

有效

• 申請號: 202110557446.4
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113364482B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 劉石頭;楊天應;張勝峰
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭浩輝;顏希文

1.一種射頻收發前端，其特征在于，所述射頻收發前端包括天線、發射端電路、接收端電路、射頻開關以及隔直電容，所述射頻開關分別連接到所述發射端電路和所述接收端電路，所述天線通過隔直電容分別連接到所述射頻開關的兩端，所述發射端電路用于放大待發射的射頻信號的功率，所述接收端電路用于減少系統的噪聲干擾并放大接收到的射頻信號，所述發射端電路和所述接收端電路集成在一個封裝內；所述射頻開關為單刀雙擲開關，所述單刀雙擲開關包括第一氮化鎵器件、第二氮化鎵器件、第一匹配電路以及第二匹配電路；所述第一氮化鎵器件具有第一控制輸入端，所述第二氮化鎵器件具有第二控制輸入端，所述第一控制輸入端用于控制發射端電路的通斷，所述第二控制輸入端用于控制接收端電路的通斷；所述射頻收發前端做成SiC襯底或Si襯底的氮化鎵單片微波集成電路，采用單片集成方式集成。

2.根據權利要求1所述的射頻收發前端，其特征在于，所述發射端電路包括功率放大器以及第一隔直電容，所述接收端電路包括低噪聲放大器以及第二隔直電容，所述功率放大器由第一輸入匹配網絡、第一晶體管和第一輸出匹配網絡構成，所述低噪聲放大器由第二輸入匹配網絡、第二晶體管和第二輸出匹配網絡構成，其中，所述第一輸入匹配網絡連接到所述第一晶體管，所述第一晶體管通過所述第一輸出匹配網絡、所述第一隔直電容和所述第一匹配電路連接到所述第一氮化鎵器件；所述第二氮化鎵器件通過所述第二匹配電路、所述第二隔直電容和第二輸入匹配網絡連接所述第二晶體管，所述第二晶體管連接到所述第二輸出匹配網絡。

3.根據權利要求2所述的射頻收發前端，其特征在于，所述第一輸入匹配網絡包括第一匹配電容和第一匹配電感，第一輸出匹配網絡包括第二匹配電容和第二匹配電感，第二輸入匹配網絡包括第三匹配電容和第三匹配電感，第二輸出匹配網絡包括第四匹配電容和第四匹配電感。

4.根據權利要求3所述的射頻收發前端，其特征在于，根據所述功率放大器、所述第一氮化鎵器件、所述第二氮化鎵器件以及所述低噪聲放大器的輸入、輸出阻抗，計算所述第一輸入匹配網絡、所述第一輸出匹配網絡、所述第二輸入匹配網絡、所述第二輸出匹配網絡、所述第一匹配電路以及所述第二匹配電路中各個匹配電容和各個匹配電感的值，從而將所述功率放大器、所述第一氮化鎵器件、所述第二氮化鎵器件以及所述低噪聲放大器的輸入阻抗和輸出阻抗匹配到預設的阻抗值上。

5.根據權利要求4所述的射頻收發前端，其特征在于，所述功率放大器、所述低噪聲放大器以及所述射頻開關均為以SiC為襯底的氮化鎵器件。

6.根據權利要求4所述的射頻收發前端，其特征在于，所述功率放大器、所述低噪聲放大器以及所述射頻開關均為以Si為襯底的氮化鎵器件。

7.根據權利要求4所述的射頻收發前端，其特征在于，所述功率放大器為LDMOS或GaAS器件，所述低噪聲放大器為GaAs或GaN器件，所述射頻開關為氮化鎵器件、所述各個匹配電容采用陶瓷電容或MOS電容，所述各個匹配電感采用金線電感或微帶繞線電感。

8.根據權利要求1-7任一項所述的射頻收發前端，其特征在于，所述射頻收發前端還包括用于系統駐波保護的微帶耦合檢波器。