[發明專利]一種直拉單晶初始復投工藝

在審

• 申請號: 202110556750.7
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN115369475A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 趙國偉;王林;谷守偉;張文霞;王建平;吳樹飛;郝瑞軍;安偉;菅向紅;郭志榮
• 申請（專利權）人: 內蒙古中環協鑫光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/10;C30B29/06
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，步驟包括：

載有熔硅原料的石英坩堝的上端面至熔硅液面具有一定高度；

使具有所述一定高度的所述石英坩堝的內側環壁面產生析晶相變，獲得一層α-方石英結構的石英體；

向析晶后的所述石英坩堝進行復投硅原料。

2.根據權利要求1所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述一定高度不小于100mm且不大于300mm；

優選地，所述一定高度為150-250mm。

3.根據權利要求1或2所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述熔硅原料為裝入所述石英坩堝的初始硅原料。

4.根據權利要求3所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述熔硅原料為所述初始硅原料的整料量。

5.根據權利要求1-2、4任一項所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，在所述石英坩堝析晶前步驟包括：

使所述初始硅原料完全化料并至熔融狀態，形成所述熔硅硅液；

所述熔硅硅液在熔融溫度下保持一段時間，以使所述一定高度的所述石英坩堝內壁面覆蓋一層為所述α-方石英結構石英體的析晶層。

6.根據權利要求5所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述熔融溫度為1450-1500℃。

7.根據權利要求6所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述熔硅硅液在所述熔融溫度下至少保持0.5h；

優選地，所述熔硅硅液在所述熔融溫度下保持時間為0.5-1h。

8.根據權利要求6或7所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，所述熔硅硅液在熔融后降溫至其結晶溫度；

優選地，所述熔硅硅液的結晶溫度為1400-1450℃。

9.根據權利要求8所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，再在結晶后的設定時間內向所述石英坩堝進行初次復投裝料，并使復投硅料與所述初始硅料完全混合熔融；

復投后所述石英坩堝內的熔硅液面低于所述石英坩堝上端面；

優選地，向所述石英坩堝初次復投裝料在結晶后的0.5h內進行操作。

10.根據權利要求9所述的一種直拉單晶初始復投工藝，其特征在于，復投后所述石英坩堝內的熔硅液面至所述石英坩堝上端面的高度不小于40mm且不大于100mm；

優選地，復投后所述石英坩堝內的熔硅液面至所述石英坩堝上端面的高度不小于40mm且不大于70mm。