[發明專利]多路微帶波導集成混合合成器、合成功率模塊及實現方法

在審

• 申請號: 202110556487.1
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN112993509A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 商桂川
• 申請（專利權）人: 四川斯艾普電子科技有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 成都誠中致達專利代理有限公司 51280
• 代理人: 曹宇杰

1.一種多路微帶波導集成混合合成器，其特征在于，包括：

分支波導耦合腔（1），其包括第一波導（10a）和第二波導（10b），第一波導（10a）的一端設置為波導傳輸端口（101a）、另一端設置為第一微帶傳輸端口（101b），第二波導（10b）的一端設置為波導隔離端口（101d）、另一端設置為第二微帶傳輸端口（101c），第一波導（10a）和第二波導（10b）之間通過多個間隔設置的分支線（10c）連通，波導傳輸端口（101a）與波導隔離端口（101d）處于同一端，第一微帶傳輸端口（101b）和第二微帶傳輸端口（101c）處于同一端；

介質基板（103），有兩對，其中一對設于第一微帶傳輸端口（101b）處，另一對設于第二微帶傳輸端口（101c）處，每對介質基板（103）上下間隔設置，間隔處設有微帶腔（105），微帶腔（105）內中心部分設有隔板，介質基板（103）一端部分插入分支波導耦合腔（1）內，每對介質基板（103）相對的一面均設有微帶探針組（104），另一面均覆設有接地覆銅層（106），接地覆銅層（106）僅覆蓋介質基板（103）伸出于分支波導耦合腔（1）的部分，微帶探針組（104）包括沿介質基板（103）長度方向依次設置的低阻抗微帶線（104a）、高阻抗微帶線（104b）、50Ω阻抗微帶線（104c），低阻抗微帶線（104a）位于介質基板（103）插入分支波導耦合腔（1）的部分，高阻抗微帶線（104b）、50Ω阻抗微帶線（104c）位于介質基板（103）伸出于分支波導耦合腔（1）的部分。

2.根據權利要求1所述的多路微帶波導集成混合合成器，其特征在于：

第一波導（10a）和第二波導（10b）沿長度方向平行間隔設置，分支線（10c）垂直于第一波導（10a）和第二波導（10b）的長度方向；

第一波導（10a）包括第一長度方向段以及與第一長度方向段垂直的第一寬度方向段，第一長度方向段一端為波導傳輸端口（101a），另一端通過第一90°E面波導轉角（102a）連接第一寬度方向段，第一寬度方向段的外側面為第一E面，第一微帶傳輸端口（101b）設于第一E面；

第二波導（10b）包括第二長度方向段以及與第二長度方向段垂直的第二寬度方向段、第三寬度方向段，第二長度方向段的一端通過第二90°E面波導轉角（102b）連接第二寬度方向段，另一端通過第三90°E面波導轉角（102c）連接第三寬度方向段，第二寬度方向段的外側面為第二E面，第二E面與第一E面齊平，第二微帶傳輸端口（101c）設于第二E面，第三寬度方向段的端面為波導隔離端口（101d）。

3.根據權利要求2所述的多路微帶波導集成混合合成器，其特征在于，一對介質基板（103）垂直插設于第一E面，另一對介質基板（103）垂直插設于第二E面；介質基板（103）的長度方向、第一長度方向段的長度方向、第二長度方向段的長度方向平行。

4.根據權利要求1~3中任意一項所述的多路微帶波導集成混合合成器，其特征在于，分支波導耦合腔（1）通過上腔（10d）和下腔（10e）相互扣合構成，上腔（10d）和下腔（10e）分別通過一次銑削加工形成。

5.根據權利要求4所述的多路微帶波導集成混合合成器，其特征在于，上腔（10d）包括第一波導（10a）、第二波導（10b）、分支線（10c）的上半部，下腔（10e）包括第一波導（10a）、第二波導（10b）、分支線（10c）的下半部，微帶腔（105）上半部設于上腔（10d）、下半部設于下腔（10e）對應位置處，每對介質基板（103）的其中一個設于上腔（10d）、另一個設于下腔（10e）對應位置處。