[發明專利]一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置在審
| 申請號: | 202110556219.X | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113363183A | 公開(公告)日: | 2021-09-07 |
| 發明(設計)人: | 夏秋月 | 申請(專利權)人: | 夏秋月 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/306;B08B3/04 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 定時 保護 功能 濕法 刻蝕 裝置 | ||
本發明公開了一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置,屬于濕法刻蝕用裝置領域,一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置,本方案中,在磁性刻蝕件進行刻蝕的過程中,當磁性刻蝕件從刻蝕液中取出后,迅速對磁性刻蝕件表面的刻蝕液進行清洗,避免磁性刻蝕件表面存在的刻蝕液對磁性刻蝕件上已經形成的蝕痕進行側蝕,不易造成加工廢品,在加工過程中,利用磁性刻蝕件與連接柱軸心不共線的特點,在磁性刻蝕件自身重力作用下,使得磁性刻蝕件發生局部側覆,使得磁性刻蝕件表面的刻蝕液及時滑落,可以實現大幅增加刻蝕的自動化加工程度,使得濕法刻蝕的時長嚴格安裝預定的標準進行,增加濕法刻蝕的成功率,增加濕法刻蝕的加工效率。
技術領域
本發明涉及濕法刻蝕用裝置領域,更具體地說,涉及一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置。
背景技術
刻蝕,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。
刻蝕根據其工作環境主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩大類,其中濕法刻蝕為具有悠長時間的傳統刻蝕方法,是一種利用刻蝕液對刻蝕件表面進行侵蝕以顯現凹凸或者鏤空成型的效果的加工方法,然而隨著濕法刻蝕持續時間的延長,極易發生側蝕事件,側蝕嚴重影響印制導線的精度,嚴重的側蝕甚至會導致刻蝕件加工失效,形成加工廢品,因此在進行濕法刻蝕加工過程中,通常需要制定刻蝕時間并嚴格執行。
發明內容
1.要解決的技術問題
針對現有技術中存在的問題,本發明的目的在于提供一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置,可以實現大幅增加刻蝕的自動化加工程度,使得濕法刻蝕的時長嚴格安裝預定的標準進行,增加濕法刻蝕的成功率,不易在加工過程中形成過多的加工廢品,增加濕法刻蝕的加工效率。
2.技術方案
為解決上述問題,本發明采用如下的技術方案。
一種具有定時保護功能的濕法刻蝕用裝置,包括濕法刻蝕池和多個加工用機械臂,所述濕法刻蝕池的槽底板上開鑿有多個定位槽,多個所述定位槽內均放置有與自身相匹配的磁性刻蝕件,所述濕法刻蝕池內裝填有刻蝕液,且刻蝕液的液面位于加工用機械臂之下,所述加工用機械臂包括連接柱,所述連接柱與磁性刻蝕件的軸心平行,所述連接柱靠近濕法刻蝕池的一端開鑿有安裝槽,所述安裝槽內轉動連接有平衡臂,所述平衡臂的下端固定連接有電磁鐵柱,所述電磁鐵柱遠離平衡臂的一端連接有與自身相匹配的緩沖墊,所述緩沖墊包括彈性膠墊,所述彈性膠墊的側壁上開鑿有多個貫穿裂紋,多個所述貫穿裂紋均貫穿彈性膠墊側壁,連通彈性膠墊內腔與外界,所述彈性膠墊內填充有多個蓄水球,所述蓄水球包括蓄水部,所述蓄水部為多孔隙儲水材料,且蓄水部內儲蓄有液態水,優選為海綿,所述蓄水部的外側固定連接有保護纖維簇,所述保護纖維簇包括多個彈性纖維,可以實現大幅增加刻蝕的自動化加工程度,使得濕法刻蝕的時長嚴格安裝預定的標準進行,增加濕法刻蝕的成功率,不易在加工過程中形成過多的加工廢品,增加濕法刻蝕的加工效率。
進一步的,所述電磁鐵柱與緩沖墊之間連接有魔術貼,所述魔術貼與緩沖墊固定連接,在磁性刻蝕件未吸附到電磁鐵柱上時,緩沖墊通過魔術貼連接在電磁鐵柱上,不易脫落,而在磁性刻蝕件吸附在電磁鐵柱上,則通過磁性刻蝕件與電磁鐵柱之間的磁力將緩沖墊與魔術貼固定,而在需要將磁性刻蝕件從電磁鐵柱上分離時,在磁性刻蝕件重力和緩沖墊與磁性刻蝕件之間殘余液體形成的表面張力會將緩沖墊和魔術貼從電磁鐵柱上撕下,完成磁性刻蝕件和緩沖墊的下料,方便后續重新安裝性的緩沖墊和魔術貼。
進一步的,所述彈性膠墊內埋設有與自身相匹配的強化金屬網,多個所述貫穿裂紋均貫穿強化金屬網,利用強化金屬網增加彈性膠墊整體的強度,使得彈性膠墊不易沿著已經開鑿的貫穿裂紋處撕裂,不易造成彈性膠墊損壞。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





