[發(fā)明專利]包括多個碳層的結構及其形成和使用的方法

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• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113699502A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 須佐圭雄;美山遼;菊地良幸
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/50;C23C16/56;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種形成結構的方法，所述方法包括以下步驟：

在反應室內提供襯底，所述襯底包括在所述襯底的表面上形成的一個或更多個凹槽；

形成覆蓋所述表面的第一碳層；以及

形成覆蓋所述第一碳層的第二碳層；

其中，所述第一碳層的密度大于所述第二碳層的密度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一個或更多個凹槽中的至少一個凹槽形成在兩個特征之間。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一碳層相對于所述表面的高度大于所述特征相對于所述表面的高度。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述第一碳層的密度比所述第二碳層的密度大約10％至約50％。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，還包括化學機械拋光所述第二碳層的步驟。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，還包括化學機械拋光所述第一碳層的至少一部分的步驟。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中，所述第一碳層的化學機械拋光速率小于所述第二碳層的化學機械拋光速率。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法，其中，形成所述第一碳層的所述步驟包括等離子體工藝。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的方法，其中，形成所述第二碳層的所述步驟包括等離子體工藝。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的方法，還包括用于處理所述第一碳層的等離子體處理步驟。

11.根據權利要求1-10中任一項所述的方法，還包括用于處理所述第二碳層的等離子體處理步驟。

12.根據權利要求1-11中任一項所述的方法，其中，在形成所述第一碳層的所述步驟中的所述反應室內的溫度小于100℃。

13.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，其中，在形成所述第二碳層的所述步驟中的所述反應室內的溫度小于100℃。

14.根據權利要求1-12中任一項所述的方法，其中，形成所述第一碳層的所述步驟包括向所述反應室提供碳前驅體，其中，所述碳前驅體的化學式由C_xH_yN_z表示，其中，x是2或更大的自然數、y是自然數、且z是0或自然數。

15.根據權利要求1-14中任一項所述的方法，其中，形成所述第二碳層的所述步驟包括向所述反應室提供碳前驅體，其中，所述碳前驅體的化學式由C_xH_yN_z表示，其中，x是2或更大的自然數、y是自然數、且z是0或自然數。

16.根據權利要求14和15中任一項所述的方法，其中，所述碳前驅體包括環(huán)狀結構。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述環(huán)狀結構包括雙鍵。

18.根據權利要求1-17中任一項所述的方法，還包括刻蝕所述第二碳層的步驟。

19.根據權利要求1-18中任一項所述的方法，還包括刻蝕所述第一碳層的步驟。

20.根據權利要求19所述的方法，其中，刻蝕所述第一碳層和所述第二碳層的所述步驟包括非選擇性地刻蝕所述第二碳層和所述第一碳層。