[發(fā)明專利]一種蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110555306.3 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113235053B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李成林;郝明;杜雪峰 | 申請(專利權(quán))人: | 遼寧分子流科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 110179 遼寧省沈陽*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 蒸發(fā) 速率 智能 可調(diào) 鍍膜 方法 | ||
1.一種蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法,包括以下步驟:
(1)啟動蒸發(fā)鍍膜機的真空系統(tǒng)對鍍膜室抽真空;
(2)當鍍膜室的真空度達到工藝要求時,啟動線性蒸發(fā)源和控制系統(tǒng);線性蒸發(fā)源包括一級坩堝、二級坩堝和送絲機構(gòu);線性蒸發(fā)源的一級坩堝將送絲機構(gòu)輸送來的絲材熔化成熔液,并通過熔液流管將熔液注入二級坩堝;熔液在二級坩堝中加熱蒸發(fā)實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜;
(3)在鍍膜路徑的下游設(shè)置有膜厚檢測裝置,可對基底上沉積的膜層進行膜厚檢測;控制系統(tǒng)會實時獲取膜厚檢測數(shù)據(jù),并根據(jù)膜厚檢測數(shù)據(jù)對線性蒸發(fā)源在鍍膜幅寬方向上的蒸發(fā)速率進行分段閉環(huán)智能調(diào)控,使基底上沉積的膜層呈現(xiàn)所需的膜厚分布狀態(tài),并在整個蒸發(fā)鍍膜過程中保持該膜厚分布狀態(tài)的穩(wěn)定;
二級坩堝為長條槽狀體,二級坩堝的長度方向與鍍膜幅寬方向一致;沿鍍膜幅寬方向并排布置有2個以上的送絲機構(gòu),每個送絲機構(gòu)的下方均設(shè)置有1個一級坩堝;二級坩堝的數(shù)量為1個,位于一級坩堝的下方;一級坩堝的底部設(shè)置有熔液流管,熔液流管的另一端與二級坩堝側(cè)壁相通,在熔液流管上設(shè)置有流量控制閥;二級坩堝上設(shè)置有2組以上的電極,二級坩堝上不同段的加熱可進行分段控制;一級坩堝中的加熱溫度較蒸發(fā)溫度低一個層次;在二級坩堝與一級坩堝之間設(shè)置有水冷擋板,水冷擋板在一級坩堝的一側(cè)設(shè)置有隔熱層,熔液流管外表面包裹有隔熱層,隔絕二級坩堝中的高溫?zé)崃繉μ幱谝患壽釄鍏^(qū)域的絲材的影響;
控制系統(tǒng)內(nèi)預(yù)設(shè)有膜厚的目標分布數(shù)據(jù)和蒸發(fā)材料數(shù)據(jù)庫;控制系統(tǒng)根據(jù)實時獲取的膜厚檢測數(shù)據(jù)與目標分布數(shù)據(jù)之間的差異以及蒸發(fā)材料的物性參數(shù)計算出二級坩堝各段的蒸發(fā)速率調(diào)整量;然后控制系統(tǒng)將基于蒸發(fā)速率調(diào)整量調(diào)控二級坩堝上不同段的加熱溫度、每個送絲機構(gòu)的送絲速度以及熔液流管的流量控制閥,從而實現(xiàn)線性蒸發(fā)源在鍍膜幅寬方向上蒸發(fā)速率的分段閉環(huán)智能可調(diào);控制系統(tǒng)將實時獲取的膜厚檢測數(shù)據(jù)與目標分布數(shù)據(jù)進行標準差分析,并根據(jù)鍍膜幅寬方向上的某個部位的標準差偏離程度給出與該部位所對應(yīng)的二級坩堝某段的蒸發(fā)速率調(diào)整量;
通過對線性蒸發(fā)源在鍍膜幅寬方向上的蒸發(fā)速率進行分段閉環(huán)智能調(diào)控,使基底在鍍膜幅寬方向上的膜厚分布達到均勻一致,或者達到預(yù)先設(shè)定的在幅寬方向上膜厚漸變的目標膜厚分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法,其特征在于:二級坩堝中的加熱溫度比一級坩堝中的加熱溫度高100-400℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法,其特征在于:每個送絲機構(gòu)的送絲速度均由控制系統(tǒng)根據(jù)膜厚檢測數(shù)據(jù)進行單獨調(diào)控;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏薄時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的送絲機構(gòu)的送絲速度加快;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏厚時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的送絲機構(gòu)的送絲速度減慢。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法,其特征在于:二級坩堝上不同段的加熱均由控制系統(tǒng)根據(jù)膜厚檢測數(shù)據(jù)進行單獨調(diào)控;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏薄時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的二級坩堝上的這段的加熱溫度提高;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏厚時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的二級坩堝上的這段的加熱溫度降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)速率智能可調(diào)的蒸發(fā)鍍膜方法,其特征在于:每個一級坩堝與二級坩堝之間連通的熔液流管上的流量控制閥均由控制系統(tǒng)根據(jù)膜厚檢測數(shù)據(jù)進行單獨調(diào)控;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏薄時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的熔液流管中的流量增大;當鍍膜幅寬方向上的某個部位的膜厚偏厚時,控制系統(tǒng)會控制使該部位對應(yīng)的熔液流管中的流量減小。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





