[發(fā)明專利]陣列基板及陣列基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110555232.3
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113394235B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李寧寧;蔡耀鋒;卓恩宗;吳文兵;鄭浩旋
• 申請（專利權(quán)）人: 北海惠科光電技術(shù)有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 晏波

本申請涉及顯示面板制造技術(shù)，公開了陣列基板及陣列基板的制造方法，該陣列基板的制造方法包括：在基板上形成含有銅的第一金屬層走線；采用氫氣對第一金屬層走線進(jìn)行預(yù)處理；在預(yù)處理后的第一金屬層走線表面以第一沉積速率沉積由氮硅化合物形成的第一絕緣層；在第一絕緣層表面以第二沉積速率沉積由氮硅化合物形成的第二絕緣層。該陣列基板包括：在基板表面依次層疊的第一金屬層走線、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層和第二金屬層走線。本申請公開的陣列基板及陣列基板的制造方法，可避免銅離子擴(kuò)散，電性好，可減少銅尖刺的產(chǎn)生，減少靜電釋放的發(fā)生。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示面板制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及陣列基板及陣列基板的制造方法。

背景技術(shù)

陣列基板是顯示面板中的重要部件。陣列基板中，包括依次設(shè)置的第一金屬層(M1)和絕緣層，第一金屬層上具有第一金屬層走線。隨著顯示面板技術(shù)的發(fā)展，銅作為導(dǎo)電材料，可提高顯示面板的分辨率和亮度，顯示效果好，且線負(fù)載率低。現(xiàn)有的陣列基板的制造方法中，絕緣層為氮硅化合物(SiNx)，第一金屬層走線為銅，制造時，常在第一金屬層走線表面直接形成絕緣層，現(xiàn)有的陣列基板的制造方法，銅離子易擴(kuò)散進(jìn)入絕緣層，影響陣列基板的電性，且第一金屬從走線和絕緣層易形成銅尖刺(hillock)，造成靜電釋放(ESD)高發(fā)。

上述內(nèi)容僅用于輔助理解本申請的技術(shù)方案，并不代表承認(rèn)上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的主要目的是提供陣列基板及陣列基板的制造方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中銅易擴(kuò)散進(jìn)入絕緣層影響電性及易形成銅尖刺的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)岢龅年嚵谢宓闹圃旆椒ǎ撽嚵谢宓闹圃旆椒òú襟E：

在基板上形成含有銅的第一金屬層走線；

采用氫氣對第一金屬層走線進(jìn)行預(yù)處理，以將第一金屬層走線上的銅離子還原；

以第一流速向預(yù)處理后的第一金屬層走線表面供入沉積氣體，并提供第一沉積能量，以使在預(yù)處理后的第一金屬層走線表面以第一沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第一絕緣層；

以及，以第二流速向形成的第一絕緣層的表面供入沉積氣體，并提供第二沉積能量，以使在第一絕緣層的表面以第二沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第二絕緣層；

其中，第二流速大于第一流速，第二沉積能量大于第一沉積能量，第二沉積速率大于第一沉積速率。

可選地，以第二流速向形成的第一絕緣層的表面供入沉積氣體，并提供第二沉積能量，以使在第一絕緣層的表面以第二沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第二絕緣層的步驟中，包括步驟：

以第一段流速向形成的第一絕緣層的表面供入沉積氣體，并提供第一段沉積能量，以使在第一絕緣層的表面以第一段沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第一層絕緣結(jié)構(gòu)；

以第二段流速向形成的第一層絕緣結(jié)構(gòu)的表面供入沉積氣體，并提供第二段沉積能量，以使在第一層絕緣結(jié)構(gòu)的表面以第二段沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第二層絕緣結(jié)構(gòu)；

其中，第一段流速大于第一流速，第二段流速大于第一段流速，第一段沉積能量大于第一沉積能量，第二段沉積能量大于第一段沉積能量，第一段沉積速率大于第一沉積速率，第二段沉積速率大于第一段沉積速率，第二絕緣層包括第一層絕緣結(jié)構(gòu)和第二層絕緣結(jié)構(gòu)。

可選地，以第二流速向形成的第一絕緣層的表面供入沉積氣體，并提供第二沉積能量，以使在第一絕緣層的表面以第二沉積速率沉積氮硅化合物，以形成第二絕緣層的步驟中，包括步驟：

形成第一絕緣層后，將供入沉積氣體的流速由第一流速轉(zhuǎn)換為第二流速，并以第二流速向形成的第一絕緣層的表面供入沉積氣體；