[發明專利]離子感應物質及使用其的離子感應膜以及該離子感應物質的制造方法

在審

• 申請號: 202110555057.8
• 申請日: 2021-05-20
• 公開（公告）號: CN113717386A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 豐田慶;塚原法人
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: C08G77/14
• 分類號: C08G77/14;C08J5/18;C08L83/06;G01N27/333
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張毅群

1.一種離子感應物質，其包含冠醚結構，所述冠醚結構包含下述式(a)所示的重復單元，

-CR¹R²-CR³X-O-…(a)

式中，x為在末端具有烷氧基甲硅烷基的有機基團，R¹、R²和R³為氫或烴基，

所述冠醚結構中的烷氧基甲硅烷基的一部分或全部任選被水解而構成硅烷醇基。

2.根據權利要求1所述的離子感應物質，其中，所述冠醚結構為包含源于第1化合物的部分的聚合物，所述第1化合物具有環氧基且在末端具有烷氧基甲硅烷基，所述聚合物是所述環氧基通過堿金屬鹽或第2族元素的鹽開環而聚合成環狀的聚合物。

3.根據權利要求1或2所述的離子感應物質，其中，所述式(a)中，R¹、R²和R³為氫，且X用下述式(b)表示，

-CH₂O-Y…(b)

式中，Y為在末端具有所述烷氧基甲硅烷基的一價的有機基團。

4.根據權利要求2所述的離子感應物質，其中，所述堿金屬鹽或第2族元素的鹽的陽離子為鋰離子、鈉離子和鉀離子中的任意種。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的離子感應物質，其中，所述式(a)的重復次數為4以上且6以下。

6.一種離子感應膜，其中，在權利要求1～5中任一項所述的離子感應物質中，源于所述烷氧基甲硅烷基的部分構成硅氧烷鍵。

7.根據權利要求6所述的離子感應膜，其中，所述硅氧烷鍵由源于所述冠醚結構中的烷氧基甲硅烷基的部分和源于下述式(c)所示的化合物的烷氧基甲硅烷基的部分構成，

R⁴-Z…(c)

式中，R⁴為一價的烴基，Z為在末端具有烷氧基甲硅烷基的一價的有機基團。

8.根據權利要求7所述的離子感應膜，其中，源于所述式(c)中的Z的部分的摩爾數相對于源于所述式(a)中的X的部分的摩爾數與源于所述式(c)中的Z的部分的摩爾數之和的比為0.9以下。

9.根據權利要求7或8所述的離子感應膜，其中，源于所述X中的烷氧基的部分的摩爾數與源于所述Z中的烷氧基的部分的摩爾數之和相對于源于所述式(a)中的X的部分的摩爾數與源于所述式(c)中的Z的部分的摩爾數之和的比為2.00以上且2.90以下。

10.一種離子感應物質的制造方法，其包括：

準備使堿金屬鹽或第2族元素的鹽溶解于包含具有環氧基且在末端具有烷氧基甲硅烷基的第1化合物的液體而成的溶解液的工序；

通過將所述溶解液靜置或加熱而形成固形物的工序；以及

在所述靜置或加熱的工序后將所述固形物浸漬于水中，在除去所述水后使所述固形物干燥的工序。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其中，所述液體還包含具有烴基且在末端具有烷氧基甲硅烷基的第2化合物。